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具有高阻TaN层的GaN+MIS-HEMT器件钝化特性研究.pdf

发布：2025-05-06约9.38万字共73页下载文档

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摘要

氮化镓（GalliumNitride,GaN）作为第三代半导体材料，因其宽带隙、高电子迁

移率、高击穿电压以及优秀的高温特性而在电力电子领域中受到重视。尤其是，

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistors,HEMT），由于

其异质结处具有高浓度以及高电子迁移率的二维电子气(Two-dimensionalElectron

Gas,2DEG)，展现了其在高效率和高功率密度应用方面的巨大潜力，有望推动电力

转换向更高效

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