一种具有ESD栅极防护的p-GaN HEMT器件.pdf

一种GaN基功率器件的栅极结构.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113347852 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110558000.3 (22)申请日 2021.05.21 (71)申请人无锡海鲸半导体科技有限公司

2023-06-19 约8.67千字 10页立即下载

GaN HEMT器件.pdf Recessed gate AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors on sapphire T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo Citation: Applied Physics Letters 76, 121 (2000); doi: 10.1063/1.125676 View online: /10.1063/1.125676

2017-05-26 约1.78万字 4页立即下载

具有高阻TaN层的GaN+MIS-HEMT器件钝化特性研究.pdf 摘要氮化镓（GalliumNitride,GaN）作为第三代半导体材料，因其宽带隙、高电子迁移率、高击穿电压以及优秀的高温特性而在电力电子领域中受到重视。尤其是， AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistors,HEMT），由于其异质结处具有高浓度以及高电子迁移率的二维电子气(Two-dimensionalElectron Gas,2DEG)，展现了其在高效率和高功率密度应用方面的巨大潜力，有望推动电力转换向更高效

2025-05-06 约9.38万字 73页立即下载

一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464677 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210128236.8 (22)申请日 2022.02.09 (71)申请人中国科学院宁波材料

2023-05-08 约1.96万字 17页立即下载

一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551249 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210141635.8 H01L 29/778 (2006.01)

2023-05-06 约8.67千字 8页立即下载

增强型GaN HEMT有源栅极驱动芯片研究.docx 增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片研究一、引言随着科技的发展和工业应用的日益丰富，电力电子技术的需求也日趋提高。其中，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其具有高效率、高频率和低损耗等优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。而增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片作为其关键组成部分，更是决定了整个系统的性能。本文旨在探讨增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片的研究现状与进展。二、GaNHEMT与有源栅极驱动芯片概述 GaNHEMT是一种基于氮化镓材料的场效应晶体管，具有优异的电子迁移率和良好的热稳定性。而其有源栅极驱动芯片则是控制GaNHEMT开关状态的核心部件，其性

2025-01-27 约4.36千字 9页立即下载

增强型GaN HEMT有源栅极驱动芯片研究.docx 增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片研究一、引言随着科技的发展，电力电子技术的不断进步，对于高效、高速、高功率密度的电子设备需求日益增长。在这样的背景下，增强型氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其出色的性能和广阔的应用前景，正逐渐成为电力电子领域的研究热点。而作为控制GaNHEMT性能的关键部件，有源栅极驱动芯片的研究显得尤为重要。本文旨在探讨增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片的研究现状、方法及未来发展趋势。二、增强型GaNHEMT概述 GaNHEMT是一种基于氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管。相较于传统半导体材料，GaN具有更高的电子迁移率、更高的击穿电场强度、更低

2025-05-17 约3.9千字 8页立即下载

GaN基HEMT器件辐照效应研究.docx 目录 TOC\o1-3\h\u摘要 1 第一章绪论 2 1.1.GaN半导体器件研究动态 2 1.1.1.GaN材料优势 2 1.1.2.GaN基半导体器件的应用背景和研究现状 3 1.2.本文研究内容与安排 5 第二章GaN半导体简介及辐照效应损伤机理 6 2.1.GaN半导体 6 2.1.1.GaN的结构与性质 6 2.1.2.GaN的原生缺陷 7 2.1.3.GaN的辐照缺陷 7 2.2.辐照效应损伤机理 8 2.2.1.电离损伤 8 2.2.2.位移损伤

2025-03-15 约2.12万字 32页立即下载

GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究.docx GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究 GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究引言随着信息技术的飞速发展，对功率电子器件的要求也越来越高。GaN基HEMT（高电子迁移率晶体管）器件由于具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度而成为研究的热点。尽管GaN基HEMT器件具有许多优点，例如高导通电流密度、低导通电阻和快速开关速度等，但其可靠性问题也备受关注。本文将探讨GaN基HEMT器件的陷阱效应和可靠性研究，以期为相关领域的科研和工程应用提供参考。一、GaN基HEMT器件的陷阱效应 1. 陷阱介绍在GaN基HEMT器件中，陷阱是指能级位于禁带中的

2023-11-28 约1.37千字 3页立即下载

GaN HEMT器件研究的开题报告.docx GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究的开题报告摘要：氮化镓(GaN)是一种新型的半导体材料，具有高电子流动度和高热稳定性，逐渐被应用于高功率、高频率和高温度电子器件领域。其中，GaN基欧姆接触技术是实现高性能GaN器件的关键。本文将介绍本人团队在GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究方面的计划与进展。首先，我们将介绍GaN材料及其物理特性，特别是其与欧姆接触相关的性质。然后，我们将重点介绍欧姆接触的背景、原理及其在GaN器件制备中的应用。接着，我们将介绍AlGaN/GaNHEMT器件的结构和工艺流程，以及欧姆接触和其他关键工艺对器件的影响。最后，我们将讨论我

2024-05-08 约1.75千字 2页立即下载

功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片.pdf ICS31.080 CCSH80/84 团体标准 T/CASAS060—202X（征求意见稿）功率器件用硅衬底GaNHEMT外延片 GaNHEMTepitaxialwafersonSisubstratesforpowerdevices 征求意见稿在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS060—202X（征求意见稿）目次前言V 引言VI 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4产品分类2 5要求3 去边范围建议3 硅衬底3 外延层晶体质量3 外延层片内厚度

2025-05-07 约2.74万字 25页立即下载

TCASAS060-功率器件用硅衬底GaN HEMT外延片.pdf ICS31.080 CCSH80/84 团体标准 T/CASAS060—202X（征求意见稿）功率器件用硅衬底GaNHEMT外延片 GaNHEMTepitaxialwafersonSisubstratesforpowerdevices 征求意见稿在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。 XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASAS060—202X（征求意见稿）目次前言V 引言VI 1范围1 2规范性引用文件1 3术语和定义1 4产品分类2 5要求3 去边范围建议3 硅衬底3 外延层晶体质量3 外延层片内厚度

2025-05-16 约2.74万字 25页立即下载

GaN HEMT器件大信号模型研究.docx GaNHEMT器件大信号模型研究一、引言随着半导体技术的快速发展，GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）器件因其卓越的功率性能和效率，在射频、微波以及高功率电子应用中得到了广泛的应用。然而，为了更好地理解和优化GaNHEMT器件的性能，对其大信号模型的研究显得尤为重要。本文旨在探讨GaNHEMT器件大信号模型的研究进展，以及该模型在电路设计和性能优化中的应用。二、GaNHEMT器件大信号模型的研究进展 GaNHEMT器件的大信号模型研究主要集中在模型的结构和参数两个方面。该模型主要包括两部分：静态模型和动态模型。静态模型描述了器件的直流特性，如伏安特性；而动态模型则描述了器件的交

2025-04-13 约3.68千字 7页立即下载

一种用于光模块的ESD防护器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218601522 U (45)授权公告日 2023.03.10 (21)申请号 202222808473.7 (22)申请日 2022.10.21 (73)专利权人湖北山海光通信技术有限公司地址

2023-03-08 约5.48千字 6页立即下载

一种HEMT器件的制备方法和HEMT器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117727629A (43)申请公布日2024.03.19 (21)申请号202311747414.6 (22)申请日2023.12.19 (71)申请人西交利物浦大学

2024-03-18 约1.81万字 19页立即下载