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GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究.docx

发布：2023-11-28约1.37千字共3页下载文档

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GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究 GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究引言随着信息技术的飞速发展，对功率电子器件的要求也越来越高。GaN基HEMT（高电子迁移率晶体管）器件由于具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度而成为研究的热点。尽管GaN基HEMT器件具有许多优点，例如高导通电流密度、低导通电阻和快速开关速度等，但其可靠性问题也备受关注。本文将探讨GaN基HEMT器件的陷阱效应和可靠性研究，以期为相关领域的科研和工程应用提供参考。一、GaN基HEMT器件的陷阱效应 1. 陷阱介绍在GaN基HEMT器件中，陷阱是指能级位于禁带中的

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