GaN HEMT器件研究的开题报告.docx

GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究的开题报告

摘要：

氮化镓(GaN)是一种新型的半导体材料，具有高电子流动度和高热稳定性，逐渐被应用于高功率、高频率和高温度电子器件领域。其中，GaN基欧姆接触技术是实现高性能GaN器件的关键。

本文将介绍本人团队在GaN基欧姆接触及AlGaN/GaNHEMT器件研究方面的计划与进展。首先，我们将介绍GaN材料及其物理特性，特别是其与欧姆接触相关的性质。然后，我们将重点介绍欧姆接触的背景、原理及其在GaN器件制备中的应用。接着，我们将介绍AlGaN/GaNHEMT器件的结构和工艺流程，以及欧姆接触和其他关键工艺对器件的影响。最后，我们将讨论我们计划采用的实验方案和后续的研究方向。

通过本研究，我们希望能够深入了解GaN欧姆接触技术，以及其在AlGaN/GaNHEMT器件制备中的应用。我们的研究成果将有助于推动GaN器件的发展和应用。

关键词：GaN，欧姆接触，AlGaN/GaNHEMT器件，高功率，高频率，高温度。

Abstract:

GalliumNitride(GaN)isanovelsemiconductormaterialwithhighelectronmobilityandthermalstability,whichhasbeenincreasinglyappliedinhigh-power,high-frequency,andhigh-temperatureelectronicdevices.Amongtheseapplications,GaN-basedOhmiccontacttechnologyisthekeyforachievinghigh-performanceGaNdevices.

Inthisreport,wewillintroduceourteamsplanandprogressinGaN-basedOhmiccontactandAlGaN/GaNHEMTdeviceresearch.Firstly,wewillintroducethematerialpropertiesofGaN,particularlyitspropertiesrelatedtoOhmiccontact.Thenwewillfocusonthebackground,principles,andapplicationsofOhmiccontactinGaNdevicefabrication.Next,wewillintroducethestructureandfabricationprocessofAlGaN/GaNHEMTdevices,aswellastheimpactofOhmiccontactandotherkeyprocessesonthedeviceperformance.Finally,wewilldiscusstheexperimentalplanweplantoadoptandfutureresearchdirections.

Throughthisstudy,wehopetogainadeeperunderstandingoftheGaNOhmiccontacttechnologyanditsapplicationinAlGaN/GaNHEMTdevicefabrication.OurresearchresultswillcontributetothedevelopmentandapplicationofGaNdevices.

Keywords:GaN,Ohmiccontact,AlGaN/GaNHEMTdevices,high-power,high-frequency,hightemperature.