GaN MOS-HEMT器件特性研究的开题报告.docx

AlGaN/GaNMOS-HEMT器件特性研究的开题报告

一、研究背景及研究意义：

随着物联网、5G通信等应用的迅猛发展，对高功率、高频率、高温、抗辐照等性能要求极高的微波射频器件越来越受到关注。而AlGaN/GaNMOS-HEMT作为一种新型的微波射频场效应晶体管，具有高迁移率、高电子饱和漂移速度、高切换速度，且具有良好的抗辐照性、热稳定性等特点，成为了当前微波射频器件研究的热点之一。

二、研究内容：

本文拟研究AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的相关特性，主要包括以下方面：

1、AlGaN/GaNMOS-HEMT器件结构设计与工艺制备；

2、AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的基本电学参数测试及分析，如漏电流、栅氧层厚度对器件特性的影响等；

3、AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的高频性能测试与分析，如S参数测试、增益、噪声等性能；

4、AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的热稳定性能测试，以及辐照等环境下的性能测试与分析。

三、研究方法：

本文将采用以下研究方法：

1、光刻、干法刻蚀、真空沉积等工艺技术制备AlGaN/GaNMOS-HEMT器件；

2、使用Kelvin探针测试系统和LRC测试系统等设备对器件的漏电流、栅氧层厚度等基本电学参数进行测试，并分析其对器件特性的影响；

3、使用矢量网络分析仪等测量设备对AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的高频性能进行测试，并分析其增益、噪声等性能；

4、采用温度环境箱等测试设备对AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的热稳定性能进行测试，并使用辐照设备等对器件的抗辐照性能进行测试与分析。

四、研究预期结果：

通过对AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的结构设计、工艺制备和性能测试等方面进行研究，预期可以获得以下研究成果：

1、成功制备、优化AlGaN/GaNMOS-HEMT器件结构和工艺，并获得良好的器件性能；

2、分析了栅氧层厚度等因素对器件特性的影响；

3、获得AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的高频性能，例如S参数、增益、噪声等的测试结果；

4、分析AlGaN/GaNMOS-HEMT器件的热稳定性、辐照环境下的性能表现，并探究其运用于微波射频器件领域的潜力和前景。