GaN HEMT的模拟及研究的开题报告.docx
AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究的开题报告
题目：AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究
一、研究背景及意义
半导体器件是当今电子技术中最为重要的组成部分之一，其应用范围非常广泛。无论是家用电器、电脑、手机，还是航空航天、军事设备等领域中，都需要使用各种半导体器件。其中，高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种性能优良的半导体器件，也是当前研究的热点之一。AlGaN/GaNHEMT作为新一代HEMT产品，其具有高速、高功率、低噪声等优点，在通讯、雷达、微波等领域有着广泛的应用前景。
本研究将围绕AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究展开，通过对AlGaN/GaNHEMT的深入研究，可以为其进一步的应用和发展提供一定的理论基础和技术支持。
二、研究内容
1.AlGaN/GaNHEMT的基本原理及结构设计
2.AlGaN/GaNHEMT的参数优化
3.AlGaN/GaNHEMT的器件模拟
4.AlGaN/GaNHEMT的电性能测试
5.AlGaN/GaNHEMT的应用研究及发展方向分析
三、研究方法
1.借助有限元分析软件COMSOLMultiphysics对AlGaN/GaNHEMT进行反向分析和模拟，实现器件的电学性能分析。
2.基于物理模型，使用MATLAB等数学软件对AlGaN/GaNHEMT的特性参数进行分析和仿真，并根据仿真结果优化器件的设计参数。
3.利用I-V测试仪，对AlGaN/GaNHEMT的电性能进行测试。
四、研究计划及进度安排
1.第一学期
（1）查阅文献，学习AlGaN/GaNHEMT的基本原理及结构设计
（2）使用有限元分析软件COMSOLMultiphysics对AlGaN/GaNHEMT进行反向分析和模拟
（3）总结分析结果，初步掌握AlGaN/GaNHEMT器件的特性
2.第二学期
（1）根据仿真结果优化器件的设计参数
（2）通过物理模型，使用MATLAB等数学软件对特性参数进行分析和仿真
（3）实验室制作AlGaN/GaNHEMT器件样品
3.第三学期
（1）利用I-V测试仪，对制作的AlGaN/GaNHEMT器件进行电性能测试
（2）对实验结果进行分析总结并研究其应用前景
（3）完成毕业论文的初稿
4.第四学期
（1）修改论文，撰写提交
（2）进行答辩
五、预期成果
1.深入掌握AlGaN/GaNHEMT器件的基本原理及结构设计，掌握器件参数优化和仿真方法。
2.实现AlGaN/GaNHEMT器件的电性能测试，并对实验结果进行分析总结，并到其应用研究和发展方向进行分析，为其未来的应用提供理论基础和技术支持。
3.完成毕业论文并进行答辩，呈现出一份较为完整的研究成果。
参考文献：
[1]张成龙，王福州，AlGaN/GaNHEMT技术在3G、WLAN应用中的优势，微型电子，2000年第27卷
[2]王福州，张成龙，AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管研究进展，压电与声光，2003年第25卷