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GaN基HEMT器件直流特性及对LED的控制和单片集成研究.pdf

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GaN基半导体不仅禁带宽、击穿电压高，还具有直接带隙的特点，目前已在

LED、HEMT等光电和电力电子领域得到了广泛应用。一般来说，为了确保光品

质，GaN基LED采用电流模式进行驱动控制，而GaN基HEMT器件具有稳定

的饱和输出电流能力，因此可以用来驱动LED。但目前对于GaN基HEMT-LED

集成研究还处于起步阶段，很多问题都亟待解决。鉴于此，本论文针对GaN基

HEMT器件的性能及对LED的控制和单芯片集成进行了系统研究，取得的成果

如下：

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