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增强型GaN HEMT有源栅极驱动芯片研究.docx

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增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片研究

一、引言

随着科技的发展和工业应用的日益丰富，电力电子技术的需求也日趋提高。其中，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）因其具有高效率、高频率和低损耗等优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。而增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片作为其关键组成部分，更是决定了整个系统的性能。本文旨在探讨增强型GaNHEMT有源栅极驱动芯片的研究现状与进展。

二、GaNHEMT与有源栅极驱动芯片概述

GaNHEMT是一种基于氮化镓材料的场效应晶体管，具有优异的电子迁移率和良好的热稳定性。而其有源栅极驱动芯片则是控制GaNHEMT开关状态的核心部件，其性

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