环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法.pdf

一种增强型GaN基HEMT器件、其制备方法与应用.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464677 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210128236.8 (22)申请日 2022.02.09 (71)申请人中国科学院宁波材料

2023-05-08 约1.96万字 17页立即下载

增强型AlGaN-GaN HEMT及其耐压结构研究.docx 增强型AlGaN-GaNHEMT及其耐压结构研究 增强型AlGaN-GaNHEMT及其耐压结构研究一、引言随着半导体技术的快速发展，增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在功率电子器件领域中具有重要地位。该器件因其高功率、高频率及低能耗等优势，被广泛应用于通信、能源转换及医疗等领域。然而，如何进一步提高HEMT的耐压性能成为目前研究的重点和难点。本文将对增强型AlGaN/GaNHEMT及其耐压结构进行研究，为推动该领域的技术发展提供一定的理论支持。二、增强型AlGaN/GaNHEMT的原理与特点 增强型AlGaN/GaNHEMT，主要由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）

2025-05-26 约3.9千字 7页立即下载

一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823891 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210232493.6 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人西安电子科技大学广

2023-05-16 约1.45万字 14页立即下载

环栅全控型AlGaN/GaN毫米波HEMT器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112838121 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 202110084428.9 H01L 29/10 (2006.01)

2023-06-06 约1.59万字 14页立即下载

F-离子注入实现的AlGaN／GaN增强型HEMT器件特性的模型分析.pdf 专用元器件 doi：l0．3969~．issn．1563-4795．2011．09．006 F一离子注入实现的AIGaN／GaN增强型 HEMT器件特性的模型分析张曼，张继华，杨传仁 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054) 摘要：文中针对-3前通过在A1GaN层进行F一离子注入这种实~EA1GaN／GaN增强型HEMT器件 的重要方法，建立其数值模型。对该方法F一起到对导电沟

2017-09-11 约9.62千字 4页立即下载

基于P-hBN-AlGaN-GaN结构HEMT功率器件及其光电晶体管的仿真研究.docx 基于P-hBN-AlGaN-GaN结构HEMT功率器件及其光电晶体管的仿真研究基于P-hBN-AlGaN-GaN结构HEMT功率器件及其光电晶体管的仿真研究一、引言随着现代电子技术的飞速发展，高电子迁移率晶体管（HEMT）作为功率器件和光电晶体管的核心组成部分，其性能的优化与提升显得尤为重要。P-hBN/AlGaN/GaN结构的HEMT器件因其独特的材料特性和结构优势，在高频、大功率以及光电集成领域具有广泛的应用前景。本文将针对基于P-hBN/AlGaN/GaN结构的HEMT功率器件及其光电晶体管进行仿真研究，以期为相关领域的研究与应用提供理论支持。二、P-hBN/AlGaN/GaN结构

2025-06-06 约4.52千字 9页立即下载

基于P-hBN-AlGaN-GaN结构HEMT功率器件及其光电晶体管的仿真研究.docx 基于P-hBN-AlGaN-GaN结构HEMT功率器件及其光电晶体管的仿真研究基于P-hBN-AlGaN-GaN结构HEMT功率器件及其光电晶体管的仿真研究一、引言随着现代电子技术的飞速发展，功率器件和光电晶体管在各种电子设备中扮演着至关重要的角色。P-hBN/AlGaN/GaN结构的高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor，简称HEMT）作为一种新型的功率器件和光电晶体管，因其卓越的性能备受关注。本文基于这一结构进行了仿真研究，通过构建和优化模型，探索了其在功率器件和光电晶体管方面的应用潜力和性能特点。二、P-hBN/AlGaN/GaN结构HEM

2025-06-13 约4.44千字 8页立即下载

探索GaN基增强型MIS-HEMT器件：制备、机理与前沿应用.docx 探索GaN基增强型MIS-HEMT器件：制备、机理与前沿应用一、引言 1.1研究背景与意义随着现代电子技术的飞速发展，对高频、高功率电子器件的需求日益增长，这推动着半导体材料和器件结构不断革新。在众多半导体材料中，氮化镓（GaN）凭借其独特的物理性质，成为了高频、高功率应用领域的研究焦点。GaN基MIS-HEMT（金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管）器件，作为基于GaN材料的重要器件结构，在电子技术发展中占据着举足轻重的地位。 GaN材料具有宽带隙、高电子漂移速度、高击穿电场以及良好的热导率等优异特性。其宽带隙特性使得器件能够承受更高的电压，减少漏电流，提高器件

2025-05-27 约3.13万字 33页立即下载

基于衬底导电孔的GaN基HEMT器件及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394281 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110610203.2 (22)申请日 2021.06.01 (71)申请人上海新微半导体有限公司

2023-06-20 约1.66万字 17页立即下载

Si基pGaN栅增强型GaN HEMT器件：结构、性能与挑战.docx Si基p-GaN栅增强型GaNHEMT器件：结构、性能与挑战一、引言 1.1研究背景与意义在半导体技术的不断演进历程中，随着传统硅基器件逐渐逼近其物理极限，难以满足现代科技对高性能、高功率和高频应用的迫切需求，第三代半导体材料氮化镓（GaN）凭借其卓越的性能优势，在半导体领域中脱颖而出，成为研究热点与发展新方向。其中，Si基p-GaN栅增强型GaNHEMT器件作为GaN基器件中的关键类型，因其独特的结构和优异的性能，在多个重要领域展现出巨大的应用潜力，对推动电力电子、高频通信等行业的发展具有不可替代的关键作用。从材料特性来看，GaN拥有宽禁带宽度、高击穿场强、高

2025-04-28 约3.62万字 39页立即下载

双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法.pdf （19）中华人民共和国国家知识产权局（12）发明专利申请 10）申请公布号 CN111599856A 43）申请公布日2020.08.28 （21）申请号CN202010459159.5 （22）申请日2020.05.27 （71）申请人南京大学地210046江苏省南京市栖霞区仙林大道163号（72）发明人郭慧;陈敦军;张荣;郑有炓（74）专利代理机构江苏斐多律师事务所代理人张佳妮（51）Int.CI 权利要求说明书说明书幅图（54）发明名称双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法（57）摘要本发明公开了一种双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET，在n 法律状态

2025-04-11 约小于1千字 3页立即下载

基于多物理场耦合的功率AlGaN_GaN HEMT器件单粒子效应仿真研究.docx 基于多物理场耦合的功率AlGaN/GaNHEMT器件单粒子效应仿真研究一、引言 1.1研究背景与意义随着现代电子系统向高功率、高频率、高温以及抗辐射等方向不断发展，对半导体器件的性能提出了愈发严苛的要求。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为第三代半导体器件的典型代表，凭借其独特的优势在众多领域崭露头角。 AlGaN/GaNHEMT器件具备高电子迁移率、高功率密度、低导通电阻以及良好的高温稳定性等卓越性能。在高电子迁移率方面，其利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气（2DEG），电子迁移率极高，这使得器件在高频下能够保持出色的性能，能够支持更高的工作

2025-04-30 约2.75万字 22页立即下载

P型栅HEMT器件及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117810249A (43)申请公布日2024.04.02 (21)申请号202410202247.5 (22)申请日2024.02.23 (71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司地址

2024-03-31 约1.23万字 13页立即下载

增强型垂直HEMT器件.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117810250A (43)申请公布日2024.04.02 (21)申请号202410202408.0 (22)申请日2024.02.23 (71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司地址

2024-04-01 约1.13万字 9页立即下载

带有空气桥场板结构的GaN HEMT射频器件及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993019 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110182884.7 (22)申请日 2021.02.08 (71)申请人华南

2023-06-07 约1.28万字 10页立即下载