双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法.pdf

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

10）申请公布号

CN111599856A

43）申请公布日2020.08.28

（21）申请号CN202010459159.5

（22）申请日2020.05.27

（71）申请人南京大学

地210046江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

（72）发明人郭慧;陈敦军;张荣;郑有炓

（74）专利代理机构江苏斐多律师事务所

代理人张佳妮

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

双沟道增强型准垂直结构GaN基JFET及其制备方法

（57）摘要

本发明公开了一种双沟道增强型准垂直结

构GaN基JFET，在n

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2020-08-28公开公开

权利要求说明书

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说明书

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