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一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823891 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210232493.6 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人 西安电子科技大学广
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