一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823891 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210232493.6
(22)申请日 2022.03.09
(71)申请人 西安电子科技大学广
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