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带有空气桥场板结构的GaN HEMT射频器件及其制备方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993019 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110182884.7 (22)申请日 2021.02.08 (71)申请人华南

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