基于多物理场耦合的功率AlGaN_GaN HEMT器件单粒子效应仿真研究.docx
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基于多物理场耦合的功率AlGaN/GaNHEMT器件单粒子效应仿真研究
一、引言
1.1研究背景与意义
随着现代电子系统向高功率、高频率、高温以及抗辐射等方向不断发展,对半导体器件的性能提出了愈发严苛的要求。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为第三代半导体器件的典型代表,凭借其独特的优势在众多领域崭露头角。
AlGaN/GaNHEMT器件具备高电子迁移率、高功率密度、低导通电阻以及良好的高温稳定性等卓越性能。在高电子迁移率方面,其利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气(2DEG),电子迁移率极高,这使得器件在高频下能够保持出色的性能,能够支持更高的工作
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