AlGaN／GaN HFET电流崩塌效应研究.pdf

栅脉冲下AlGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 维普资讯第30卷第1期电子器件 V01．30 No．1 2007年 2月 ChineseJournalOfElectronDevices Feb．2007 InvestigationofGatePulsedProducingCurrentCollapseinAIGaN／GaNHEMTs LONGFei，DUJiang-feng，LUOQian，JINChong，YA

2017-08-19 约字 3页立即下载

GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 第 30 卷　第 5 期电子器件 Vol. 30 　No . 5 20 07 年 10 月　　　 Ch inese J ou r nal Of Elect ro n D evices 　　 Oct . 2 007

2017-08-17 约字 4页立即下载

应力条件下AIGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 维普资讯 T帅蛔■翻兰岫,al 应力条件下AIGaN／GaNHEMT 电流崩塌效应研究 龙飞，杜江锋，罗谦，夏建新，杨谟华 (电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054) 摘要：采用应力测试方法，获得了A1GaN／GaN HEMT漏极电流随时问的变化关

2017-08-18 约字 4页立即下载

脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 维普资讯第 35卷第 5期微电子学 Vo1．35，No5 2005年 1O月 M icroelectronics Oct．2005 文章编号：1004—3365(2005)05-0478—04 脉冲条件下GaNHEMT电流崩塌效应研究龙飞，杜江锋，罗谦，靳种，周伟，夏建新，杨谟华

2017-08-20 约字 4页立即下载

使用B1505A评价GaN电流崩塌效应.pdf 使用 B1505A 评估 GaN 电流崩塌效应 Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪加速您的氮化镓 (GaN) 功率器件开发应用简报 B1505A 完全集成、现成的 GaN 电流崩塌解决方案

2019-07-03 约6.91千字 2页立即下载

GaN HEMT电流崩塌的实验研究的开题报告.docx AlGaN/GaNHEMT电流崩塌的实验研究的开题报告【摘要】 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高电子迁移率而成为了高功率RF应用中的重要元件。然而，在高功率工作状态下，HEMT会出现电流崩塌的现象，导致电流饱和和其它不良效应。本研究旨在实验研究AlGaN/GaNHEMT电流崩塌现象的发生和机理，并探索减轻电流崩塌的方法。【关键词】AlGaN/GaNHEMT，电流崩塌，机理，减轻方法【研究背景】 AlGaN/GaNHEMT是一种高电子迁移率晶体管，广泛应用于高功率射频（RF）应用领域，如通信、雷达、卫星通信等。然而，当HEMT在高功率工作状态下，其输出电流会出现电流

2024-05-01 约1.1千字 2页立即下载

基于多物理场耦合的功率AlGaN_GaN HEMT器件单粒子效应仿真研究.docx 基于多物理场耦合的功率AlGaN/GaNHEMT器件单粒子效应仿真研究一、引言 1.1研究背景与意义随着现代电子系统向高功率、高频率、高温以及抗辐射等方向不断发展，对半导体器件的性能提出了愈发严苛的要求。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为第三代半导体器件的典型代表，凭借其独特的优势在众多领域崭露头角。 AlGaN/GaNHEMT器件具备高电子迁移率、高功率密度、低导通电阻以及良好的高温稳定性等卓越性能。在高电子迁移率方面，其利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气（2DEG），电子迁移率极高，这使得器件在高频下能够保持出色的性能，能够支持更高的工作

2025-04-30 约2.75万字 22页立即下载

AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究.docx AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究 AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的特性研究一、引言随着现代电子技术的快速发展，半导体器件在高性能电子系统中的应用越来越广泛。其中，AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其出色的电性能和稳定性，在功率放大器、高频高速电路等领域得到了广泛的应用。本文旨在深入研究AlGaN/GaNHEMT的特性和性能，以期为相关应用提供理论支持和指导。二、AlGaN/GaNHEMT的基本结构与工作原理 AlGaN/GaNHEMT是一种基于III族氮化物的功率半导体器件，其基本结构由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）层构成，通过异质结的形式形成二

2025-03-05 约4.4千字 8页立即下载

2023-08-29 约小于1千字 2页立即下载

AlGaN（Al）GaN量子阱结构的生长与物性研究的开题报告.docx AlGaN（Al）GaN量子阱结构的生长与物性研究的开题报告一、选题背景和研究意义 AlGaN（Aluminiumgalliumnitride）GaN（Galliumnitride）量子阱是一种具有潜在物理特性和工程应用价值的半导体材料，其主要用于高频、高功率和高温电子器件的制备。由于其优异的电子输运性质和高增益系数，AlGaN（Al）GaN量子阱在发光二极管、激光器、场效应晶体管等方面具有广泛的应用前景。因此，研究AlGaN（Al）GaN量子阱结构的生长和物性对电子器件的制备和性能优化具有重要意义。二、研究内容和研究方法（一）研究内容本研究主要围绕AlGaN（Al）GaN量子阱结构的

2024-05-17 约小于1千字 2页立即下载

AlGaN相分凝与a-GaN缺陷及CL光学特性的研究的开题报告.docx AlGaN相分凝与a-GaN缺陷及CL光学特性的研究的开题报告一、研究背景和意义氮化铝（AlN）和氮化镓（GaN）是一种新型的宽禁带半导体材料，在高功率、高频率电子器件、照明、激光器等领域具有重要应用。其中AlGaN合金材料因其在紫外光谱范围内的宽带隙和优秀的光电性能，已经成为制备紫外光发光二极管、探测器、激光等器件的基础材料。然而，AlGaN材料在制备过程中存在各种缺陷，例如混晶、多晶、晶界、位错等，在AlGaN的性质、器件性能和寿命等方面产生重要的影响。因此，研究AlGaN材料中的相分凝机制和缺陷行为，可以为提高AlGaN晶体质量和优化器件性能提供重要的理论基础，并且对于提高国内半导

2024-05-02 约1.14千字 2页立即下载

增强型AlGaN-GaN HEMT及其耐压结构研究.docx 增强型AlGaN-GaNHEMT及其耐压结构研究增强型AlGaN-GaNHEMT及其耐压结构研究一、引言随着半导体技术的快速发展，增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在功率电子器件领域中具有重要地位。该器件因其高功率、高频率及低能耗等优势，被广泛应用于通信、能源转换及医疗等领域。然而，如何进一步提高HEMT的耐压性能成为目前研究的重点和难点。本文将对增强型AlGaN/GaNHEMT及其耐压结构进行研究，为推动该领域的技术发展提供一定的理论支持。二、增强型AlGaN/GaNHEMT的原理与特点增强型AlGaN/GaNHEMT，主要由氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）

2025-05-26 约3.9千字 7页立即下载

AlGaNGaN HEMT电流崩塌研究的开题报告.docx AlGaNGaNHEMT电流崩塌研究的开题报告题目：AlGaNGaNHEMT电流崩塌研究研究背景： AlGaNGaNHEMT具有高性能、高可靠性、低噪音系数等优点，可广泛应用于高速电子学、移动通信、毫米波雷达和功率放大器等领域。然而，随着技术的不断发展，AlGaNGaNHEMT电流崩塌现象已成为限制其应用的重要因素之一。电流崩塌不仅会导致器件寿命降低，而且会引起频率失真、功率损失和干扰等问题，因此对其进行研究具有重要意义。研究内容：本课题旨在研究AlGaNGaNHEMT电流崩塌现象，并探究其机理。具体研究内容包括： 1.AlGaNGaNHEMT电流崩塌的基本现象和特征。 2.影响AlG

2024-05-01 约小于1千字 2页立即下载

薄势垒混合阳极AlGaN_GaN SBD器件性能优化与模型构建研究.docx 薄势垒混合阳极AlGaN/GaNSBD器件性能优化与模型构建研究一、引言 1.1研究背景与意义随着现代科技的飞速发展，无线电力传输（WPT）、高频大功率等领域对电子器件的性能提出了越来越高的要求。在这样的背景下，薄势垒混合阳极AlGaN/GaNSBD器件因其独特的性能优势，成为了研究的热点。在无线电力传输领域，高效的能量转换是关键。AlGaN/GaNSBD器件负责将接收到的射频信号转换为直流信号，其性能直接决定了WPT系统的转换效率。传统的SBD器件在转换效率上存在一定的局限性，而薄势垒混合阳极AlGaN/GaNSBD器件通过优化结构和材料，有望显著提高转换效

2025-05-22 约2.93万字 33页立即下载

基于AlGaN_GaN HEMT结构的H⁺传感器的特性与应用研究.docx 基于AlGaN/GaNHEMT结构的H?传感器的特性与应用研究一、引言 1.1研究背景传感器作为现代信息技术的三大支柱之一，在工业、农业、医疗、环境监测等众多领域发挥着至关重要的作用。从最初简单的机械式传感器，到后来的电气式传感器，再到如今的半导体传感器，其发展历程见证了人类科技的不断进步。半导体传感器凭借其易于集成化、微型化、灵敏度高等诸多优点，自问世以来便受到世界各国科学家的广泛关注，并且在各个行业的应用日益广泛。半导体传感器利用半导体材料对光、热、电、磁、化学物质等外界因素变化极为敏感的特性制成，种类丰富多样，能够实现对多种物理量、化学量和生物量的精确检测，具备类似于人类感官

2025-06-02 约3.24万字 36页立即下载