脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf

栅脉冲下AlGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 维普资讯第30卷第1期电子器件 V01．30 No．1 2007年 2月 ChineseJournalOfElectronDevices Feb．2007 InvestigationofGatePulsedProducingCurrentCollapseinAIGaN／GaNHEMTs LONGFei，DUJiang-feng，LUOQian，JINChong，YA

2017-08-19 约字 3页立即下载

应力条件下AIGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 维普资讯 T帅蛔■翻兰岫,al 应力条件下AIGaN／GaNHEMT 电流崩塌效应研究 龙飞，杜江锋，罗谦，夏建新，杨谟华 (电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 610054) 摘要：采用应力测试方法，获得了A1GaN／GaN HEMT漏极电流随时问的变化关

2017-08-18 约字 4页立即下载

GaN HEMT电流崩塌效应研究.pdf 第 30 卷　第 5 期电子器件 Vol. 30 　No . 5 20 07 年 10 月　　　 Ch inese J ou r nal Of Elect ro n D evices 　　 Oct . 2 007

2017-08-17 约字 4页立即下载

GaN HEMT电流崩塌的实验研究的开题报告.docx AlGaN/GaNHEMT电流崩塌的实验研究的开题报告【摘要】 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高电子迁移率而成为了高功率RF应用中的重要元件。然而，在高功率工作状态下，HEMT会出现电流崩塌的现象，导致电流饱和和其它不良效应。本研究旨在实验研究AlGaN/GaNHEMT电流崩塌现象的发生和机理，并探索减轻电流崩塌的方法。【关键词】AlGaN/GaNHEMT，电流崩塌，机理，减轻方法【研究背景】 AlGaN/GaNHEMT是一种高电子迁移率晶体管，广泛应用于高功率射频（RF）应用领域，如通信、雷达、卫星通信等。然而，当HEMT在高功率工作状态下，其输出电流会出现电流

2024-05-01 约1.1千字 2页立即下载

AlGaN／GaN HFET电流崩塌效应研究.pdf 第29卷第1期固体电子学研究与进展 VoI．29，No．1 2009年 3月 RESEARCHPROGRESSOFSSE M ar．，2009 AIGaN／GaNHFET电流崩塌效应研究张志国冯震杨克武蔡树军h 郝跃s (中国电子科技集团公司第十三研究

2017-08-20 约1.18万字 4页立即下载

使用B1505A评价GaN电流崩塌效应.pdf 使用 B1505A 评估 GaN 电流崩塌效应 Agilent B1505A 功率器件分析仪/曲线追踪仪加速您的氮化镓 (GaN) 功率器件开发应用简报 B1505A 完全集成、现成的 GaN 电流崩塌解决方案

2019-07-03 约6.91千字 2页立即下载

AlGaNGaN HEMT电流崩塌研究的开题报告.docx AlGaNGaNHEMT电流崩塌研究的开题报告题目：AlGaNGaNHEMT电流崩塌研究研究背景： AlGaNGaNHEMT具有高性能、高可靠性、低噪音系数等优点，可广泛应用于高速电子学、移动通信、毫米波雷达和功率放大器等领域。然而，随着技术的不断发展，AlGaNGaNHEMT电流崩塌现象已成为限制其应用的重要因素之一。电流崩塌不仅会导致器件寿命降低，而且会引起频率失真、功率损失和干扰等问题，因此对其进行研究具有重要意义。研究内容：本课题旨在研究AlGaNGaNHEMT电流崩塌现象，并探究其机理。具体研究内容包括： 1.AlGaNGaNHEMT电流崩塌的基本现象和特征。 2.影响AlG

2024-05-01 约小于1千字 2页立即下载

GaN基HEMT器件辐照效应研究.docx 目录 TOC\o1-3\h\u摘要 1 第一章绪论 2 1.1.GaN半导体器件研究动态 2 1.1.1.GaN材料优势 2 1.1.2.GaN基半导体器件的应用背景和研究现状 3 1.2.本文研究内容与安排 5 第二章GaN半导体简介及辐照效应损伤机理 6 2.1.GaN半导体 6 2.1.1.GaN的结构与性质 6 2.1.2.GaN的原生缺陷 7 2.1.3.GaN的辐照缺陷 7 2.2.辐照效应损伤机理 8 2.2.1.电离损伤 8 2.2.2.位移损伤

2025-03-15 约2.12万字 32页立即下载

AlGaNGaN HEMT电流崩塌的实验研究的开题报告.docx AlGaNGaNHEMT电流崩塌的实验研究的开题报告题目：AlGaNGaNHEMT电流崩塌的实验研究一、研究背景随着移动互联网、物联网等领域的不断发展，对于高频、高效率、低噪声和高可靠性的射频功率放大器的需求越来越迫切。高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种广泛应用的射频功率放大器器件，其具有高工作频率、高输出功率、低噪声、低电流等优点。AlGaNGaN是当前研究的热点材料，其材料的禁带宽度较宽，导电性强，因此在高功率、高频率和高温度环境中有着广泛的应用。然而，HEMT器件在高功率、高电场下往往会出现电流崩塌现象，即在一定的偏置电压下，输出电流急剧下降，这严重影响了器件的可靠性和稳定性，

2024-05-11 约1.02千字 2页立即下载

GaN HEMT高场退化效应与温度特性研究的开题报告.docx AlGaN/GaNHEMT高场退化效应与温度特性研究的开题报告摘要： AlGaN/GaNHEMT(HighElectronMobilityTransistor)是一种重要的宽禁带半导体器件，在微波和射频电路中广泛应用，其特点是高功率、高线性性能和高频响应。但是，随着工作温度的升高和电场的增强，器件的性能逐渐退化，严重影响其可靠性和使用寿命。因此，研究AlGaN/GaNHEMT的高场退化效应和温度特性，对于提高器件的性能和可靠性具有重要意义。本文将从AlGaN/GaNHEMT的物理特性、器件结构和工作原理等方面介绍其基本原理和特点，然后详细阐述高场退化效应和温度特性的研究现状和相关理论。此外

2024-05-24 约1.76千字 2页立即下载

基于多物理场耦合的功率AlGaN_GaN HEMT器件单粒子效应仿真研究.docx 基于多物理场耦合的功率AlGaN/GaNHEMT器件单粒子效应仿真研究一、引言 1.1研究背景与意义随着现代电子系统向高功率、高频率、高温以及抗辐射等方向不断发展，对半导体器件的性能提出了愈发严苛的要求。AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）作为第三代半导体器件的典型代表，凭借其独特的优势在众多领域崭露头角。 AlGaN/GaNHEMT器件具备高电子迁移率、高功率密度、低导通电阻以及良好的高温稳定性等卓越性能。在高电子迁移率方面，其利用AlGaN/GaN异质结界面形成的二维电子气（2DEG），电子迁移率极高，这使得器件在高频下能够保持出色的性能，能够支持更高的工作

2025-04-30 约2.75万字 22页立即下载

高功率微波脉冲应力下的GaN HEMT失效机理分析.docx 高功率微波脉冲应力下的GaNHEMT失效机理分析一、引言近年来，高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）在雷达、通信、军事等高功率应用领域发挥着至关重要的作用。然而，由于高功率微波脉冲应力的作用，GaNHEMT器件在应用过程中可能会出现失效的情况。对这一现象进行深入的分析，有助于提高器件的可靠性及稳定性，具有极高的研究价值和应用前景。本文旨在深入探讨高功率微波脉冲应力下GaNHEMT的失效机理。二、GaNHEMT的基本原理与特性 GaNHEMT是一种基于氮化镓（GaN）材料的晶体管，具有高电子迁移率、高饱和电子速度等优良的电性能，适用于高频、大功率等场合。然而，在高功率微波脉冲应力下，由于电

2025-04-20 约3.69千字 7页立即下载

GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究.docx GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究 GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究引言随着信息技术的飞速发展，对功率电子器件的要求也越来越高。GaN基HEMT（高电子迁移率晶体管）器件由于具有较高的电子迁移率和较高的饱和漂移速度而成为研究的热点。尽管GaN基HEMT器件具有许多优点，例如高导通电流密度、低导通电阻和快速开关速度等，但其可靠性问题也备受关注。本文将探讨GaN基HEMT器件的陷阱效应和可靠性研究，以期为相关领域的科研和工程应用提供参考。一、GaN基HEMT器件的陷阱效应 1. 陷阱介绍在GaN基HEMT器件中，陷阱是指能级位于禁带中的

2023-11-28 约1.37千字 3页立即下载

GaN HEMT的模拟及研究的开题报告.docx AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究的开题报告题目：AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究一、选题背景金属-氮化物半导体晶体管（HEMT）因其高速、高功率和高温度性能而受到广泛的关注。其中，尤其以AlGaN/GaNHEMT作为一种最具潜力的高功率、高电子迁移率低电荷量晶体管（LDMOS）来应用于高频电路，微波电路和功率电子器件等领域。然而，由于其特殊的结构和材料特性，AlGaN/GaNHEMT也存在一些问题，如漏电流和热失控等。因此，对其性能的深入研究和模拟具有重要的理论和应用意义。二、研究目的本研究旨在通过对AlGaN/GaNHEMT的模拟和研究，深入了解其在高功率、高频电路和功

2024-02-20 约1.75千字 3页立即下载

GaN HEMT的模拟及研究的开题报告.docx AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究的开题报告题目：AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究一、研究背景及意义半导体器件是当今电子技术中最为重要的组成部分之一，其应用范围非常广泛。无论是家用电器、电脑、手机，还是航空航天、军事设备等领域中，都需要使用各种半导体器件。其中，高电子迁移率晶体管（HEMT）是一种性能优良的半导体器件，也是当前研究的热点之一。AlGaN/GaNHEMT作为新一代HEMT产品，其具有高速、高功率、低噪声等优点，在通讯、雷达、微波等领域有着广泛的应用前景。本研究将围绕AlGaN/GaNHEMT的模拟及研究展开，通过对AlGaN/GaNHEMT的深入研究，可以为其进

2024-04-07 约1.28千字 3页立即下载