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半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820636 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110049797.4 H01L 29/20 (2006.01) (22)申请日 2
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