半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法.pdf
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112820636 A
(43)申请公布日 2021.05.18
(21)申请号 202110049797.4 H01L 29/20 (2006.01)
(22)申请日 2
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