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一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875390 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210486755.1 (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人

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