等离子体增强原子层沉积生长N掺杂Cu2O薄膜及-中国科技论文在线.PDF

中国科技论文在线 等离子体增强原子层沉积生长N 掺杂Cu O 2 薄膜及其物性研究 # 李微，潘景薪，王登魁，方铉，房丹，王新伟，唐吉龙，王晓华，孙秀平** 5 （长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室，长春130022） 摘要：本文采用等离子体增强原子层沉积技术 （PEALD ）以NH 为掺杂源对 Cu O 薄膜材 3 2 料进行了N 掺杂实验，并对N 掺杂后的样品进行了X 射线光电子能谱、原子力显微镜（AFM ）、 霍尔测量、紫外-可见吸收光谱等测试分析，研究了N 掺杂对Cu O 薄膜表面形貌、光学及 2 电学性质的影响。研究结果表明，通过XPS 测试，表明我们利用PEALD 技术生长出了N 10 掺杂的Cu O 薄膜；发现在N 掺杂后会引起晶格畸变，Cu O 薄膜的结晶质量下降，导致Cu O 2 2 2 薄膜表面粗糙度增大，起伏明显；N 掺杂后Cu O 薄膜的带隙从2.70 eV 增加到3.20 eV ，吸 2 收边变得陡峭；掺杂后载流子浓度为6.32*1019 cm-3 ，相比于未掺杂样品 （5.77*1018 cm-3 ）提 升了1 个数量级。 关键词：等离子体增强原子层沉积；N 掺杂Cu O 薄膜；NH 2 3 15 中图分类号：O484 Research on Growth and Properties of N-doped Cu O film 2 by Plasma Enhanced Atomic layer deposition LI Wei, PAN Jingxin, WANG Dengkui, FANG Xuan, FANG Dan, WANG Xinwei, TANG Jilong, WANG Xiaohua, SUN Xiuping 20 (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Laser of Changchun University of Science) Abstract : We have growth nitrogen-doped Cu O:N by Plasma enhanced Atomic layer deposition