《《沉积温度对等离子体增强化学气相沉积法制备SiNxH薄膜特性的影响 2016镀膜 王文静》》.pdf

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) June Acta Phys. -Chim. Sin . 2011, 27 (6), 1531-1536 1531 [Article] 沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiN :H x 薄膜特性的影响 闻震利 曹晓宁 周春兰 赵 雷 李海玲 王文静* ( 中国科学院电工研究所, 太阳能热利用及光伏系统重点实验室, 北京100190) 摘要: 利用Centrotherm 公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p 型抛光硅片表面沉积 SiN :H 薄膜, 研究沉积温度对SiN :H 薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响. 然后采用工业化的 x x 单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池, 研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响. 测试结果表 明: SiN :H 薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大, 分布在1.926-2.231 之间, 这表明Si/N 摩尔比随着沉积 x 温度的增加而增加; 当沉积温度增加时, 薄膜中Si －H 键和N－H 键浓度呈现减小趋势, 而Si －N 键浓度逐渐升 高, 薄膜致密度增加; 随着沉积温度的升高, SiN :H 薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后 x 降低, 并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性. 当沉积温度为450 °C 时, 薄膜具有最优的减反射和表面钝 化效果. 采用不同温度PECVD 制备的5 组电池的电性能测试结果也验证了这一结果. 关键词: SiN :H 薄膜; 沉积温度; 结构特性; 钝化; 太阳电池; 效率 x 中图分类号: O644; TM914 Influence of Deposition Temperature on the SiN :H Film Prepared by x Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition WEN Zhen-Li CAO Xiao-Ning ZHOU Chun-Lan ZHAO Lei LI Hai-Ling WANG Wen-Jing* (Key Laboratory Solar Thermal Energy and Photovoltaic Systems, Institute of Electrical Engineering, C