一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法.pdf
文本预览下载声明
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113363338 A
(43)申请公布日 2021.09.07
(21)申请号 202110611917.5
(22)申请日 2021.06.02
(71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研
显示全部