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一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法.pdf

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363338 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110611917.5 (22)申请日 2021.06.02 (71)申请人 中国电子科技集团公司第四十六研
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