在衬底上生长氧化镓薄膜的方法和氧化镓薄膜.pdf

一种在GaAs衬底上生长GaInP薄膜的方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363338 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110611917.5 (22)申请日 2021.06.02 (71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研

2023-06-17 约5.32千字 5页立即下载

高热导石墨衬底上氧化锌薄膜的超声喷雾热解法生长研究的中期报告.docx 高热导石墨衬底上氧化锌薄膜的超声喷雾热解法生长研究的中期报告本研究旨在探究超声喷雾热解法生长氧化锌薄膜的方法及其制备条件优化。具体研究内容和进展如下： 1. 实验装置设计和搭建：设计搭建自制超声喷雾热解生长装置，使其能够在高热导石墨衬底上实现氧化锌薄膜的生长，并同时监测温度和气压等生长过程参数。 2. 生长参数优化：对不同生长参数，如气流速度、超声雾化频率和生长温度等进行优化，并对生长薄膜的结构和形貌进行了表征。结果表明，在优化参数的情况下，生长的氧化锌晶体质量更高并且表面更加光滑。 3. 纵向电学性能研究：测量了氧化锌薄膜的电性能，结果显示其纵向电学性能较为稳定，在一定的电压范围内具有较高

2023-08-29 约小于1千字 1页立即下载

受调制的衬底对薄膜生长形貌的影响.pdf 摘要本文采用动力学蒙特卡洛(Kinetic Monte Carlo)模拟方法研究了在应变场或量子尺寸效应调制的衬底上纳米结构的自组织生长。首先我们发展了一个多尺度的动力学蒙特卡洛模型研究应变诱导的量子点超晶格的自组织堆栈生长。这个模型考虑了长程的弹性相互作用并利用原子级的 KMC 方法模拟量子点的外延生长。覆盖层下面的岛在覆盖层表面产生的应变场调制势能表面,进而影响生长过程中岛的形核以及空间分布。我们的模拟结果表明,膨胀区域的应变提高了量子点的形核几率,从而导致量子点的堆栈 生长在垂直方向上排成一列。随着量子点堆栈生长的进行,应变场分布变得越来越均匀,从而导致了量子点

2018-03-20 约1.8万字 54页立即下载

生长在LaAlO3衬底上的非极性p型GaN薄膜外延结构及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875492 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210401587.1 (22)申请日 2022.04.18 (71

2023-05-14 约1.3万字 9页立即下载

一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法及氧化镓薄膜.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113388824 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110659219.2 (22)申请日 2021.06.15 (71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物

2023-06-20 约1.05万字 12页立即下载

一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563379 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202011548786.2 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人

2023-05-29 约1.16万字 9页立即下载

AlNSi(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究的中期报告.docx AlNSi(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究的中期报告本研究旨在探究在AlNSi(111)衬底上生长4H-SiC薄膜的可行性，并研究其生长机理和物理特性。本次中期报告主要介绍了以下工作内容和研究进展： 1. 衬底制备：通过机械抛光和化学腐蚀的方法，制备了宽度为10 mm、长度为20 mm的AlNSi(111)衬底。对衬底进行了SEM表面形貌和XRD结构分析，结果表明衬底表面平整度良好，结构稳定。 2. 基础实验：采用化学气相沉积法(CVD)生长SiC薄膜，并对不同生长条件下的薄膜进行了表征。结果表明，在相应的生长条件下，得到了光滑、均匀的4H-SiC薄膜，并且生长速率稳定。 3. 初

2023-10-16 约小于1千字 1页立即下载

AlNSi(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究的开题报告.docx AlNSi(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究的开题报告题目：AlNSi（111）衬底上4H-SiC薄膜的生长研究导师：XX 一、研究背景 4H-SiC（Siliconcarbide）作为一种宽带隙半导体材料，具有高温、高功率、高频率和抗辐射等优异性质，被广泛应用于集成电路和功率器件等领域。而采用AlNSi（111）衬底作为4H-SiC的生长衬底，则可以提高4H-SiC薄膜的质量和导电性能，从而提高器件的性能。二、研究目的本研究旨在探究采用AlNSi（111）衬底生长4H-SiC薄膜的可行性和优势，研究其对4H-SiC薄膜的生长质量和电性能的影响，并进一步探究优化生长工艺，提高4

2024-05-03 约小于1千字 2页立即下载

GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及性能研究的开题报告.docx GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及性能研究的开题报告一、研究背景及意义随着半导体技术的不断发展，薄膜材料作为半导体器件制备中的重要组成部分，已成为研究的热点之一。其中，氧化物薄膜的制备和应用在能源、环保、光电、电子等领域均具有重要的作用。氧化物薄膜材料中，ZnO是一种具有优良光学、电学性能的半导体材料，因其具有优异的电学性能、热稳定性、加工工艺简单等特点，近年来受到了广泛的研究关注。而MOCVD（金属有机化学气相沉积）技术是目前氧化物薄膜制备的主要方法之一，具有高效、可控性强、适应性广等优点。因此，研究ZnO在GaAs衬底上的MOCVD生长及其性能具有重要的学术价值和应用前景。

2024-05-15 约小于1千字 2页立即下载

MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能的开题报告.docx MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能的开题报告标题： MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能的研究背景：氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，具有优越的光电性能和应用潜力，广泛应用于光电元件领域。而MgO(111)是常用的衬底材料之一，其具有高结晶性、稳定性和透明性等优点，适合作为ZnO薄膜生长的衬底。因此，研究MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能，对于深入理解ZnO的生长机理和优化其性能有重要意义。研究内容：本项目旨在研究MgO(111)衬底上ZnO薄膜的生长和性能，具体研究内容包括： 1.MgO(111)衬底的制备和表征，包括表面形貌、结晶质量和晶面朝向等

2024-05-07 约小于1千字 2页立即下载

GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面.pdf 第36卷第2期红外与毫米波学报 v。1．36，N。．2 2017年4月 J．InfraredMillim．Waves April，2017 ；======================================== 文章编号：1001—9014(2017)02—0135—04 LOw·defectsurfacesof

2017-07-10 约3.5万字 4页立即下载

畴外延生长γ-CuI薄膜的方法及γ-CuI薄膜.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117802574A (43)申请公布日2024.04.02 (21)申请号202410218690.1 (22)申请日2024.02.28 (71)申请人内蒙古工业大学地址01005

2024-03-31 约1.19万字 9页立即下载

一种薄膜生长方法及装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112962139 A (43)申请公布日 2021.06.15 (21)申请号 202110236047.8 (22)申请日 2021.03.03 (71)申请人南方科技大学地址

2023-06-09 约1.72万字 16页立即下载

一种滤波器薄膜衬底及其制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114465589 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210105227.7 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人上海新硅聚合半导体有限公司地址

2023-05-06 约1.55万字 12页立即下载

一种基于蓝宝石衬底的石墨烯薄膜切割方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113363148 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110629373.5 (22)申请日 2021.06.07 (71)申请人中国人民解放军国防科技大学

2023-06-18 约1.12万字 11页立即下载