畴外延生长γ-CuI薄膜的方法及γ-CuI薄膜.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117802574A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410218690.1
(22)申请日2024.02.28
(71)申请人内蒙古工业大学
地址01005
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第2章 薄膜的物理制备方法（3、4）--离子镀外延生长.ppt
*;*;定义：外延生长就是指在某种起始单晶（衬底）上生长具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的过程。
当外延膜在同一种材料上生长时，称为同质外延；
当外延膜在不同材料上生长时，称为异质外延；;MBE设备结构
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(21)申请号 202210401587.1
(22)申请日 2022.04.18
(71
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(10)申请公布号 CN 116959965 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202310922972.5
(22)申请日 2023.07.25
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
地址
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(10)申请公布号 CN 114883458 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210461976.3 C23C 14/58 (2006.01)
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(10)申请公布号 CN 112981525 A
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(21)申请号 202110164339.5 C30B 25/10 (2006.01)
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基于石墨烯远程外延GaN薄膜的生长机理研究摘要
摘要
第三代半导体材料对人们生活的影响越来越大，其中氮化镓(GaN)材料因为其优
异的物理和化学性质，被广泛应用于轨道交通、微波通信、新能源汽车和5G通讯等
领域。目前工业上制备GaN材料主要是采用异质外延生长，通常采用硅(Si)、
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第五章硅和硅基薄膜的外延生长祥解.doc
第五章 硅和硅基薄膜的外延生长
5．1 概述
外延生长(通常亦简称外延)是半导体材料和器件制造的重要工艺之一，它的应用和发展对于提高半导体材料的质量和器件的性能，对于新材料、新器件的开发，对于半导体科学的发展都具有重要意义。
所谓外延生长就是在一定条件下，在经过仔细制备的单晶衬底上，沿着原来的结晶方向生长出一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构、完整性等都符合要求的新单晶层的工艺过程。所生长的单晶层称为外延层。
外延生长同从熔体中直接生长一样都是制备半导体材料单晶的方法，但相比之下外延生长有它一些特殊的优点：
(1)利用外延生长可以在一块低电阻率的衬底上生长出
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3C-SiC薄膜异质外延生长与表征的开题报告.docx
3C-SiC薄膜异质外延生长与表征的开题报告
1.研究背景
碳化硅（SiC）是一种具有优良物理、化学和材料特性的广泛用途的宽带隙半导体材料。SiC的优点包括高电场承受能力、高热传导性能、化学惰性、高硬度和机械强度、高温稳定性和较小的失配问题。因此，SiC被广泛研究和应用于高温、高频、辐射、光电等领域。SiC的异质外延生长技术是制备高品质SiC晶体和器件的重要方法。
3C-SiC是一种具有优异物理特性的SiC晶体。在晶学方面，3C-SiC与硅基衬底有良好匹配度，有望实现大面积、高质量晶体的生长。因此，研究3C-SiC薄膜的异质外延生长和表征具有重要的理论和应用意义。
2.研究内容
本论文将通过文
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GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面.pdf
第36卷第2期 红外与毫米波学报 v。1．36，N。．2
2017年4月 J．InfraredMillim．Waves April，2017
；========================================
文章编号：1001—9014(2017)02—0135—04
LOw·defectsurfacesof
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Graphene和LPCMO薄膜的外延生长及其STM研究的开题报告.docx
Graphene和LPCMO薄膜的外延生长及其STM研究的开题报告
一、研究背景和目的
Graphene具有优异的电导率、热导率、力学强度等特性，因此被广泛研究和应用。而LPCMO是一种磁性材料，也具有很多潜在的应用。将这两种材料组合起来，制备出复合薄膜，可能会产生一些有趣的新物理现象。此外，通过外延生长技术制备复合薄膜，也可以为制备二维材料集成器件奠定基础。因此，本文旨在研究Graphene和LPCMO薄膜的外延生长及其STM研究。
二、研究内容和方案
本研究的主要内容包括以下方面：
1.设计并建立外延生长实验装置：包括CVD实验装置和MOCVD实验装置。
2.通过CVD实验和MOCVD实验
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锆掺杂二氧化铪铁电薄膜外延生长及物性研究.pdf
摘要
摘要
铁电材料经过100余年发展，应用覆盖了信息存储、电卡制冷、催化方向等。
在信息存储方向最具应用前景，由于铁电性的自发极化以及方向可调，正好与二
进制“0”与“1”对应，并且铁电响应是纳秒级响应，这为高存储速度提供保障。
目前发展出的铁电存储器件包括铁电随机存储器，铁电场效应晶体管，铁电隧道
结等。不过目前存在铁电材料自身限制，如厚度降低铁电性能减弱，与互补金属
氧化物半导体工业的兼容性不佳，结构复杂等。但自2011年铁电性在HfO2中发
现以来，由于HfO2用于高k介电层而具有的工艺兼容性，以及HfO2存在薄膜越
薄铁电性越强的“反尺寸效应”和无铅无环境危害等特性，被认定为最具潜力
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一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法.pdf
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113394079 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 202110676534.6
(22)申请日 2021.06.18
(71)申请人 中国电子科技集团公司第四十