AlNSi(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究的中期报告.docx

AlNSi(111)衬底上4H-SiC薄膜的生长研究的中期报告 本研究旨在探究在AlNSi(111)衬底上生长4H-SiC薄膜的可行性，并研究其生长机理和物理特性。本次中期报告主要介绍了以下工作内容和研究进展： 1. 衬底制备：通过机械抛光和化学腐蚀的方法，制备了宽度为10 mm、长度为20 mm的AlNSi(111)衬底。对衬底进行了SEM表面形貌和XRD结构分析，结果表明衬底表面平整度良好，结构稳定。 2. 基础实验：采用化学气相沉积法(CVD)生长SiC薄膜，并对不同生长条件下的薄膜进行了表征。结果表明，在相应的生长条件下，得到了光滑、均匀的4H-SiC薄膜，并且生长速率稳定。 3. 初步实验：使用CVD方法，在AlNSi(111)衬底上生长4H-SiC薄膜。通过SEM、XRD、Raman等表征手段对薄膜进行了分析。初步结果表明，在适当的生长条件下，能够在衬底上得到较好的4H-SiC结晶质量。 4. 下一步工作：通过进一步优化生长条件和探究生长机理，提高薄膜的质量和厚度，并进一步研究它们的物理特性。 总之，本次报告展示了在AlNSi(111)衬底上生长4H-SiC薄膜的研究进展，并介绍了下一步的工作计划。此项研究有望为开发新型光电器件提供一条新路。