GB/T 24576-2009高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜２４５７６ ２００９ 高分辨率 射线衍射测量 衬底 犡 犌犪犃狊 生长的 中 成分的试验方法 犃犾犌犪犃狊 犃犾 犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀 狋犺犲犃犾犳狉犪犮狋犻狅狀犻狀犃犾犌犪犃狊狅狀犌犪犃狊狊狌犫狊狋狉犪狋犲狊犫 犵 狔 犺犻犺狉犲狊狅犾狌狋犻狅狀犡狉犪 犱犻犳犳狉犪犮狋犻狅狀 犵 狔 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜２４５７６ ２００９ 前 言 　　 本标准技术内容等同采用 《准则：采用高分辨率 光衍射法测量砷化镓衬底上 ＳＭＥＩＭ６３０３０６ Ｘ 　　 中 百分含量的测试方法》。本标准对 进行了编辑性修改。 ＡｌＧａＡｓ Ａｌ ＳＭＥＩＭ６３０３０６ 本标准的附录 为资料性附录。 Ａ 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研 究所。 本标准主要起草人：章安辉、黄庆涛、何秀坤。 Ⅰ ／ — 犌犅犜２４５７６ ２００９ 高分辨率 射线衍射测量 衬底 犡 犌犪犃狊 生长的 中 成分的试验方法 犃犾犌犪犃狊 犃犾 １ 范围 　 本标准规定了用高分辨 射线衍射测量 衬底上 外延层中 含量的试验方法。