文档详情

一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置.pdf

发布：2023-06-07约1.74万字共19页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113005511 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 202110200873.7 C30B 29/36 (2006.01) (22)申请日

显示全部

相似文档

一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112981532 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110201676.7 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日 2021.02
2023-06-08 约1.75万字 19页立即下载
一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112813499 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202011637816.7 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日 2020.12
2023-06-07 约1.53万字 15页立即下载
一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213142283 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202021994413.3 (22)申请日 2020.09.11 (73)专利权人山东天岳先进科技股份有限公司
2023-02-28 约1.29万字 13页立即下载
一种碳化硅单晶生长装置及其生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112831841 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011633769.9 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人湖南三安半导体有限责任公司
2023-06-05 约1.01万字 10页立即下载
一种碳化硅单晶生长装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214115777 U (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202023339628.4 (22)申请日 2020.12.30 (73)专利权人湖南三安半导体有限责任公司
2023-04-04 约9.68千字 11页立即下载
一种碳化硅晶体的制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112921392 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110136778.5 (22)申请日 2021.02.01 (71)申请人赵丽丽地址 150
2023-06-09 约8.69千字 7页立即下载
一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113005519 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202110216502.8 (51)Int.Cl.
2023-06-09 约1.24万字 8页立即下载
一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113403681 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 202110666260.2 (51)Int.Cl.
2023-06-20 约1.03万字 9页立即下载
一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113355743 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110665166.5 (22)申请日 2021.06.16 (71)申请人哈尔滨科友半导体产业装备与技术
2023-06-19 约9.58千字 8页立即下载
一种碳化硅单晶的液相生长装置及液相生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112921399 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110075714.9 (22)申请日 2021.01.20 (71)申请人中电化合物半导体有限公司
2023-06-06 约1.29万字 12页立即下载
一种碳化硅籽晶加工用的生长装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210314565 U (45)授权公告日 2020.04.14 (21)申请号 20192
2023-09-01 约6.74千字 9页立即下载
一种生长高质量SiC单晶的装置及生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981531 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110177439.1 (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人赵丽丽地址 150
2023-06-11 约1.41万字 11页立即下载
一种碳化硅晶体、其使用的籽晶及籽晶的制备方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113388888 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110691438.9 C30B 23/00 (2006.01)
2023-06-20 约2.55万字 25页立即下载
碳化硅晶体的切割方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113334592 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110646302.6 (22)申请日 2021.06.10 (71)申请人河北
2023-06-18 约1.17万字 10页立即下载
一种PVT法高质量体单晶生长热场装置及方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113337886 A (43)申请公布日 2021.09.03 (21)申请号 202110624565.7 (22)申请日 2021.06.04 (71)申请人哈尔
2023-06-17 约8.4千字 7页立即下载