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一种采用预处理籽晶生长碳化硅晶体的方法.pdf

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113005519 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202110216502.8 (51)Int.Cl.

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