文档详情

一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法.pdf

发布：2023-06-19约9.58千字共8页下载文档

文本预览下载声明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113355743 A (43)申请公布日 2021.09.07 (21)申请号 202110665166.5 (22)申请日 2021.06.16 (71)申请人哈尔滨科友半导体产业装备与技术

显示全部

相似文档

一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213142283 U (45)授权公告日 2021.05.07 (21)申请号 202021994413.3 (22)申请日 2020.09.11 (73)专利权人山东天岳先进科技股份有限公司
2023-02-28 约1.29万字 13页立即下载
一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113403681 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 202110666260.2 (51)Int.Cl.
2023-06-20 约1.03万字 9页立即下载
一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875491 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210532735.3 (22)申请日 2022.05.11 (71)申请人宁波恒普真空科技股份有限公司地址
2023-05-14 约6.38千字 7页立即下载
碳化硅晶体生长的多孔碳化钽材料制造理论研究.docx 碳化硅晶体生长的多孔碳化钽材料制造理论研究目录 碳化硅晶体生长的多孔碳化钽材料制造理论研究（1）．．．．．．．．．．．．4 研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 1.1碳化硅晶体生长技术概述．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．4 1.2多孔碳化钽材料的应用领域．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 1.3理论研究的重要性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．6 碳化硅晶体生长技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．
2025-03-24 约4.12万字 67页立即下载
碳化硅晶体生长炉生产建设项目可行性研究报告.doc 碳化硅晶体生长炉生产线建设项目可行性研究报告中咨国联｜出品 DATE\@EEEE年O月二〇二一年二月第第PAGE2页第第PAGE1页目录 TOC\o1-3\h\z\u6734第一章总论 1 244571.1项目概要 1 155421.1.1项目名称 1 272021.1.2项目建设单位 1 285021.1.3项目建设性质 1 246081.1.4项目建设地点 1 210241.1.5项目负责人 1 86341.1.6项目投资规模 1 107681.1.7项目建设规模 2 132641.1.8项目资金来源 2 219421.1.9项目建设期限 2 318091.2项目建设单位介绍
2025-04-30 约4.33万字 76页立即下载
一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112981532 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110201676.7 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日 2021.02
2023-06-08 约1.75万字 19页立即下载
一种N型碳化硅晶体的制备方法及生长装置.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112813499 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202011637816.7 C30B 23/00 (2006.01) (22)申请日 2020.12
2023-06-07 约1.53万字 15页立即下载
一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112813493 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202110154587.1 (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人同济大学地址 20
2023-06-06 约1.04万字 8页立即下载
一种晶体生长炉.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213388971 U (45)授权公告日 2021.06.08 (21)申请号 202022050304.2 (22)申请日 2020.09.17 (73)专利权人山东天岳先进科技股份有限公司
2023-03-08 约9.35千字 9页立即下载
晶体生长方法新.docx 晶体生长方法提拉法（Czochralski,Cz）图1　提拉法晶体生长装置结构示意图晶体提拉法的创始人是J. Czochralski，他的论文发表于1918年。提拉法是熔体生长中最常用的一种方法，许多重要的实用晶体就是用这种方法制备的。近年来，这种方法又得到了几项重大改进，如采用液封的方式（液封提拉法，LEC），如图1，能够顺利地生长某些易挥发的化合物（GaP等）；采用导模的方式（导模提拉法）生长特定形状的晶体（如管状宝石和带状硅单晶等）。所谓提拉法，是指在合理的温场下，将装在籽晶杆上的籽晶下端，下到熔体的原料中，籽晶杆在旋转马达及提升机构的作用下，一边旋转一边缓慢地向上提拉，经过缩颈、扩肩、
2017-06-16 约字 6页立即下载
一种晶体生长设备及晶体生长方法.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114457413 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202111673957.9 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人上海翌波光电科技有限公司地址 2
2023-05-08 约1.17万字 13页立即下载
一种碳化硅晶体的制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112921392 A (43)申请公布日 2021.06.08 (21)申请号 202110136778.5 (22)申请日 2021.02.01 (71)申请人赵丽丽地址 150
2023-06-09 约8.69千字 7页立即下载
利用晶体生长软件femag对蓝宝石晶体生长的仿真计算方法.pptx 会计学;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;CONFIDENTIAL;FEMAGSoft ? 2012;;;;CONFIDENTIAL;CON
2022-11-11 约小于1千字 34页立即下载
利用晶体生长计算软件FEMAG进行蓝宝石晶体生长的仿真方法.ppt CONFIDENTIAL FEMAG-HEM FEMAG-HEM Software to simulate Sapphire Growth by Heat Exchange Method Specifications: Temperature in the sapphire and in all furnace components by solving the global heat transfer in the furnace (radiation, conduction , convection). Flow velocity in the sapphire liquid phase
2016-12-12 约8.44千字 34页立即下载
利用晶体生长模拟软件FEMAG进行蓝宝石晶体生长模拟的方法.ppt CONFIDENTIAL FEMAG-HEM FEMAG-HEM Software to simulate Sapphire Growth by Heat Exchange Method Specifications: Temperature in the sapphire and in all furnace components by solving the global heat transfer in the furnace (radiation, conduction , convection). Flow velocity in the sapphire liquid phase
2016-12-11 约字 34页立即下载