GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法.pdf

硅片厚度和总厚度变化测试方法（GB/T 6618-2009） 链接：/tech/71968.html 来源：中国新能源网 硅片厚度和总厚度变化测试方法（GB/T 6618-2009） 1范围 本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法 。 本标准适用于符合GB/T 12964,GB/T 12965,GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允 许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。 2规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款．凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括 勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版 本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划(GB/T 2828.1-2003,ISO 2859-1:1999,IDT) GB/T 12964硅单晶抛光片 GB/T 12965硅单晶切割片和研磨片 GB/T 14139硅外延片 3方法概述 3.1分立点式测里 在硅片中心点和距硅片边缘6mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度。其中两点位于与硅片主参考面垂直平分线 逆时针方向的夹角为30。的直径上，另外两点位于与该直径相垂直的另一直径上（见图1)。硅片中心点厚度作为硅片 的标称厚度。5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称作硅片的总厚度变化。 3.2扫描式测量 硅片厚度和总厚度变化测试方法（GB/T 6618-2009） 链接：/tech/71968.html 来源：中国新能源网 硅片由基准环上的3个半球状顶端支承，在硅片中心点进行厚度测量，测量值为硅片的标称厚度。 然后按规定图形扫描硅片表面，进行厚度测量，自动指示仪显示出总厚度变化。扫描路径图见图2。 4干扰因素 4.1分立点式测量 4.1.1由于分立点式测量总厚度变化只基于5点的测量数据，硅片上其他部分的无规则几何变化不能被检测出来。 4.1.2硅片上某一点的局部改变可能产生错误的读数。这种局部的改变可能来源于表面缺陷例如崩边，沽污，小丘， 凹坑，刀痕，波纹等。 硅片厚度和总厚度变化测试方法（GB/T 6618-2009） 链接：/tech/71968.html 来源：中国新能源网 4.2扫描式测量 4.2.1在扫描期间，参考平面的任何变化都会使测量指示值产生误差，相当于在探头轴线上最大与最小值之差在轴线 矢量值的偏差。如果这种变化出现，可能导致在不正确的位置计算极值。 4.2.2参考平面与花岗岩基准面的不平行度也会引起测试值的误差。 4.2.3基准环和花岗岩平台之间的外来颗粒、沽污会产生误差。 4.2.4测试样片相对于测量探头轴的振动会产生误差。 4.2.5扫描过程中，探头偏离测试样片会给出错误的读数。 4.2.6本测试方法的扫描方式是按规定的路径进行扫描，采样不是整个表面，不同的扫描路径可产生不同的测试结果 。 5仪器设备 5.1接触式测厚仪 测厚仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。 5.1.1测厚仪应能使硅片绕平台中心旋转，并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内。 5.1.2仪表最小指示量值不大于1μm。 5.1.3测量时探头与硅片接触面积不应超过2m㎡。 5.1.4厚度校正标准样片，厚度值的范围从0.13mm-1.3mm，每两片间的间隔为0.13mm±0.025mm。 5.2非接触式测且仪 由一个可移动的基准环，带有指示器的固定探头装置，定位器和平板所组成，各部分如下： 5.2.1基准环 由一个封闭的基座和3个半球形支承柱组成。基准环有数种（见图3)，皆由金属制造；其热膨胀系 数在室温下不大于6×10-6／℃；环的厚度至少为19mm，研磨底面的平整度在0.25µm之内。外径比被测硅片直径 大50mm，见表1。