GB/T 30869-2014太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化　测试方法.pdf

ICS 77.040 k_…、 ‘I G邑 中华人民共和国国彖标准 GB/T 30869—2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化 测试方法 Test method for thickness and total thickness variation of silicon wafers for solar cell 2014-07-24 发布 2015-02-01 实施 GB/T 30869—2014 ■ i r ■ ■ i 刖 吕 本标准按照GB/T 1.1—2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)共同提出并归口。 本标准起草单位：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司、有研半导体材料股份有限公司、乐山新 天源太阳能科技有限公司、青洋电子材料有限公司。 本标准主要起草人:何紫军、冯地直、程宇、黎阳、陈琳、荆旭华、刘卓。 T GB/T 30869—2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化 测试方法 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅片 以下简称硅片）厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。 本标准适用于符合GB/T 26O71.GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量，分立 式测量方法适用于接触式及非接触式测量，扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许 的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 26071太阳能电池用硅单晶切割片 GB/T 29055太阳电池用多晶硅片 3方法提要 3.1分立点式测量 在硅片对角线交点和对角线上距两边15 mm的4个对称位置点测量硅片厚度 见图1）。硅片中 心点厚度作为硅片的标称厚度。5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称作硅片的总厚度 变化。 图1分立点式测量的测量点位置 3.2扫描式测量 硅片置于平台上，在硅片中心点进行厚度测量，测量值为硅片的标称厚度，然后从a点开始按1〜7 1 GB/T 30869—2014 规定路径扫描硅片表面,进行厚度测量，自动显示仪显示出总厚度变化，具体扫描路径见图2。 4干扰因素 4.1分立点式测量 4.1.1由于分立点式测量总厚度变化只基于5点的测量数据，硅片上其他部分的几何变化不能被检测 出来。 4.1.2硅片上某一点的局部改变可能产生错误的读数。这种局部的改变可能来源于表面缺陷例如沾 污、小丘、坑、线痕、硅晶脱落等。 4.1.