GB/T 6621-2009硅片表面平整度测试方法.pdf

犐犆犛２９．０４５ 犎 ８０ 中华人 民共和 国国家 标准 ／ — 犌犅犜６６２１ ２００９ 代替 ／ — ＧＢＴ６６２１ １９９５ 硅片表面平整度测试方法 犜犲狊狋犻狀 犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉狊狌狉犳犪犮犲犳犾犪狋狀犲狊狊狅犳狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊 犵 ２００９１０３０发布 ２０１００６０１实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 ／ — 犌犅犜６６２１ ２００９ 前 言 　　 本标准代替 ／ — 《硅抛光片表面平整度测试方法》。 ＧＢＴ６６２１ １９９５ 　　 本标准与 ／ — 相比，主要变动如下： ＧＢＴ６６２１ １９９５ ———将名称修改为“硅片表面平整度测试方法”； ———去掉了目前较少采用的干涉法，只保留了目前常用的电容法； ———增加“引用标准”； ———对“方法提要”、“仪器装置”、“测量程序”、“计算”进行了全面修改； ———经实验重新确定了精密度； ———在第一章增加本标准适用的试样范围； ———在“试样”一章中说明对所测试样的要求。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准主要起草单位：上海合晶硅材料有限公司。 本标准主要起草人：徐新华、严世权、王珍。 本标准所替代标准的历次版本发布情况为： ——— ／ — 、 ／ — 。 ＧＢＴ６６２１ １９８６ＧＢＴ６６２１ １９９５ Ⅰ ／ — 犌犅犜６６２１ ２００９ 硅片表面平整度测试方法 １ 范围 　 本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法，切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此 方法。 本标准适用于测量标准直径 、 、 、 、 ，电阻率不大于 · ７６ｍｍ １００ｍｍ １２５ｍｍ １５０ｍｍ ２００ｍｍ ２００ ｃｍ