GB/T 6621-1995硅抛光片表面平整度测试方法.pdf

中华人 民共和 国国家标准 GB/T 6621一 1995 硅抛光片表面平整度测试方法 代替G万飞6621一86 Testmethodsforsurfaceflatnessofsiliconpolishedslices 第一篇 方法A一 光千涉法 1 主题内容与适用范围 本标准规定了用相干光的干涉现象测量硅抛光片表面平整度的方法。 本标准适用于检测硅抛光片的表面平整度，也适用于检测硅外延片和类镜面状半导体晶片的表面 平整度。 2 术语 2.1总指示读数(TIR)totalindicatorrunout(TIR) 两个与基准平面平行的平面之间的最小垂直距离。处于晶片正面的固定优质区((FQA)或局部优质 区域内的所有的点在两平行平面的范围内。又称最大峰— 谷差(见图1), 惊射入射干涉仪参考棱镜 筑准面 待侧试样的1表面 峰对谷偏差 谷偏差 图1基片计量学定义 注 峰和谷的位置可能出现在试样表面的任何地方巴 2.2焦平面 focalplane 国家技术监瞥局1995一04一18批准 199512-01实施 GB/r 6621一1995 与成像系统的光轴垂直FL包含成像系统焦点的平面 2.3焦平面偏差(FPD)focalplanedeviation(FPD) 从晶片表面的一点平行于光轴到焦平面的距离 2.4最大焦平面偏差 maximumfocalplanedeviation 焦平面偏差((FPD)的最大绝对值，简称最大峰(谷)与焦平面的偏差 3 方法提要 用真空吸盘吸持试样的背面，使试样表面尽可能靠近干涉仪的基准面，来自单色光源的平面波受到 试样表面和于涉仪的基准平面的反射，在空间迭加形成光干涉。由于各处光程差不同，在屏幕仁出现干 涉条纹(见图2、图3)。分析得到的干涉条纹，可度量试样表面平整度，并用总指示读数(TIK)表示 试样固定架 图2 掠射入射干涉仪示意图 GB/T 6621一1995 签准使镜 / 至干涉仪条纹 观察袋皿 入射线 参考光柬 侧试光束 试“ 基准面 诗侧表面 图3 测试光束和参考光束 测t装置 4.1掠射入射干涉仪:由单色光源、聚焦透镜、毛玻璃散射盘、准直透镜，带有基准面的基准棱镜、目镜 和观察屏组成。仪器灵敏度不低于o.1km，并可调节其灵敏度大小(见图2)a 4.2真空泵和真空量规:真空度不低于 “661kPa, 4.3 真空吸盘:其表面平整度应小于。.25km，吸盘的直径与待测试样的直径相匹配。 4.4 校准劈:为平整度已知的光学平晶，用于校准干涉仪的灵敏度(见图4)