碳化硅单晶片抛光片表面质量测试方法.doc

碳化硅单晶抛光片表面质量测试方法 目的 本测试方法通过在一定的光照下，观察碳化硅单晶抛光片的表面，以表征碳化硅单晶抛光片表面质量。 2 方法原理 碳化硅抛光片表面质量缺陷，在一定光照条件下可产生光的漫反射，且能目测观察，可采用5～10倍放大镜目测观测碳化硅单晶抛光片表面缺陷。 3 测试设备 3.1 高强度汇聚光源，如钨丝灯。光源条件参照标准 GB/T 6624。 3.2 大面积漫射光源，如可调节光强度的荧光灯或乳白灯。 3.3 净化台：净化级别优于4级。 3.4 真空吸笔：不可引入任何缺陷。 3.5 放大镜,放大倍数5～10。 3.6 钢板尺，最小刻度不大于1mm。 4 试样制备 碳化硅单晶抛光片应具有平整、光洁的表面。 5 测试程序 5.1 在4级净化台内，用真空吸笔吸住被测抛光片的背面，使高强度汇聚光束斑直射在被测抛光表面，光源、抛光晶片与测试人员如图108-1所示。晃动抛光片，改变入射光角度，目视观察碳化硅单晶抛光片表面有无沾污、雾、划痕、颗粒等缺陷，或用5(10倍放大镜进行观察。 图108-1 观察位置示意图 5.2 将光源换成大面积散射光源，目测检验抛光片表面有无刀痕、蚀坑、凹坑、小丘、桔皮、波纹、裂纹、崩边等缺陷。 5.3 分别记录观察碳化硅单晶抛光片表面沾污、雾、划痕、颗粒、刀痕、蚀坑、凹坑、小丘、桔皮、波纹、裂纹、崩边的数量并用钢板尺测量划痕、刀痕的总长度等。 6 测试结果计算 6.1 记录计算观察到的颗粒数（个）。 6.2 记录划痕、刀痕根数（个）及累计长度（mm）(精确到1mm)。 6.3 计算和记录所观察到边缘破裂、波纹、凹坑、小丘、浅坑数。 6.4 记录桔皮的面积占抛光片总面积的百分数(精确到10%)。 7 测试报告 测试报告一般应包括如下内容： a） 报告日期； b） 编制、审核、批准人员签字； c） 样品规格型号、样品名称； d） 碳化硅单晶抛光片表面质量。