TIAWBS005-2018 6 英寸碳化硅单晶抛光片.pdf

ICS29.045

H80/84

团体标准

T/IAWBS005-2018

6英寸碳化硅单晶抛光片

6inchpolishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2018-12-06发布2018-12-17实施

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

T/IAWBS005—2018

目次

前  言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

3.1相变裂纹CracksInducedbyPolytypeTransformation1

3.2基平面位错BasalPlaneDislocation（BPD）2

3.3螺位错ThreadingScrewDislocation（TSD）2

3.4刃位错ThreadingEdgeDislocation（TED）2

4要求2

4.1分类2

4.2牌号2

4.3质量等级2

4.4几何参数2

4.5表面取向3

4.6表面缺陷3

4.7微管密度3

4.8结晶质量4

4.9电阻率4

4.10多型4

4.11位错密度4

5检验方法5

5.1几何参数5

5.2表面取向5

5.3表面缺陷5

5.4微管密度5

5.5结晶质量5

5.6电阻率6

5.7多型6

5.8位错密度6

6检验规则6

6.1检验6

6.2组批6

6.3取样6

6.4检验结果的判定6

7标志、包装、运输、储存和质量证明书6

7.1标志7

7.2包装7

7.3储存和运输7

7.4质量证明书7

附录A（资料性附录）碳化硅单晶牌号规定8

I

T/IAWBS005—2018

前  言

本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。

请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责

任。

本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口。

本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有

限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物

理研究所、北京三平泰克科技有限责任公司、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团

公司第四十六研究所、东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院、瀚天天成

电子科技（厦门）有限公司、中国科学院电工研究所、泰科天润半导体科技（北京）有限公

司。

本标准主要起草人：陆敏、彭同华、郑红军、佘宗静、林健、王文军、刘春俊、闫果果、

钮应喜、林雪如、陈鹏、刘祎晨、张平、张新河、钮应喜、陈志霞、张瑾、陈彤。

II

T/