T_IAWBS 014-2021_碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法.pdf
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团体标准
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T/IAWBS014-2021
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1 范围
本文件适用于检测面法线方向与C轴方向夹角范围为0°~8°的碳化硅单晶抛光片的位错
密度的检测。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期
的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括
所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
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密度的检测。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期
的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括
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GB/T14264半导体材料术语
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3术语和定义
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3.1
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其位错线
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碳化硅单晶抛光片表面质量测试方法
目的
本测试方法通过在一定的光照下，观察碳化硅单晶抛光片的表面，以表征碳化硅单晶抛光片表面质量。
2 方法原理
碳化硅抛光片表面质量缺陷，在一定光照条件下可产生光的漫反射，且能目测观察，可采用5～10倍放大镜目测观测碳化硅单晶抛光片表面缺陷。
3 测试设备
3.1 高强度汇聚光源，如钨丝灯。光源条件参照标准 GB/T 6624。
3.2 大面积漫射光源，如可调节光强度的荧光灯或乳白灯。
3.3 净化台：净化级别优于4级。
3.4 真空吸笔：不可引入任何缺陷。
3.5 放大镜,放大倍数5～10。
3.6 钢板尺，最小刻度不大于1m
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息
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碳化硅单晶片X射线双晶摇
摆曲线半高宽测试方法
准
TestMethodforFullWidthatHalfMaximum
标
ofDoubleCrystalX-rayRockingCurveof
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体
团
国
2022-03-17发布2022-03-24实施
全
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布
T/IAWBS016—2022
目次台
前言II
1范围1
2规范性引用文件1
平
3术语和定义1
4测试原理1
息
4.1晶体X射线衍射原理1
4.2摇摆曲线测试
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中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布
T/IAWBS005—2018
目次
前 言II
1范围1
2规范性引用文件1
3术语和定义1
3.1相变裂纹CracksInducedbyPolytypeTransformation1
3.2基平面位错BasalPlaneDislocation（BPD）2
3.3螺位错ThreadingScrewDislo
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1范围
本标准规定了用非接触涡流测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。本标准适用于200μm到1000μm厚的碳化硅单晶片。
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