一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf
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年 月 西安电子科技大学学报(自然科学版)
2008 8 Au.2008
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第 卷 第 期
35 4 Vol.35 No.4
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一种结构简单的曲率补偿 犆犕犗犛带隙基准源
1 1 2 2 2
曹寒梅 ,杨银堂 ,蔡 伟 ,陆铁军 ,王宗民
( 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 ;
1. 710071
2.北京微电子技术研究所,北京 100076)
摘要:提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源 电路设计中没有采用典型结构中
.
的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构;输出部分采用调节型共源共栅结
构,保证了高的电源抑制比 整个电路采用 标准 工艺实现,并用 进行仿
. SMIC0.18m CMOS HSPICE
μ
真,结果表明所设计的电路在 范围内的温度系数为 -6/ ,频率为 时的电
-45℃ 125℃ 12.9×10 ℃ 10Hz
~
源抑制比为67.2dB.该结构可应用于高速模数转换器的设计中.
关键词:负反馈箝位;带隙电压基准源;高温度稳定性
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN432.1 A 10012400200804062004
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