一种曲率补偿CMOS带隙基准源的设计-微纳电子技术.pdf

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０１０ 一种曲率补偿 带隙基准源的设计 ＣＭＯＳ 郭美洋，姚建军，孙克 （济南晶恒电子有限责任公司济南， ） ２５００１４ 摘要：基于 工艺设计了一种低温漂二阶曲率补偿基准源。它利用被偏置 ＣＳＭＣ０６ ｍ ＣＭＯＳ μ 在亚阈值区的 管的源漏电流与栅源电压的指数关系进行曲率补偿该电路结构简单， ， 。 ＭＯＳ 仿真表明 内，带隙电压在 之间变化，平均温度系数仅为 ＨＳＰＩＣＥ －６０～１３０ ℃ １２５０ ０～１２５０ ２ Ｖ ２ －６ ２ 。带隙基准源的版图面积为 ，电路功耗电流为 。 ×１０ ／ ℃ ０１２７ ｍｍ ９４ Ａ μ 关键词：带隙基准；二阶曲率补偿；亚阈值 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊 ＴＮ４３２ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ００３００４ ＣＭＯＳ Ｂａｎｄｇａｐ Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｗｉｔｈ Ｃｕｒｖａｔｕｒｅ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ ， ， Ｇｕｏ Ｍｅｉｙａｎｇ Ｙａｏ Ｊｉａｎｊｕｎ Ｓｕｎ Ｋｅ （ ， ， ， ） Ｊｉｎａｎ Ｊｉｎｇｈｅｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏ． Ｌｔｄ． Ｊｉｎａｎ ２５００１４ Ｃｈｉｎａ ： ， Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｂａｓｅｄ ｏｎ ０６ ｍ ＣＭＯＳ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａ ｖｅｒｙ ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｂａｎｄｇａｐ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｉｓ μ ｐｒｏｐｏｓｅｄ． Ｉｔ ｇｅｎｅｒａｔｅｓｃｕｒｖａｔｕｒｅ ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ ｃｕｒｒｅｎｔ ｕｓｉｎｇｔｈｅ ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ ｒｅｌａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅｖｏｌｔａｇｅ ｏｆ ａ ｎｍｏｓｉｎ ｓｕｂｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｏｐｅｒａｔｉｏｎＴｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｕｓｉｎｇ ＨＳＰＩＣＥ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｔｈｅ ｏｕｔｐｕｔ ｖｏｌｔａｇｅ ｃｈａｎｇｅｓ ｆｏｒｍ １２５０ ０ ｔｏ １２５０ ４ ｉｎ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒａｎｇｅ ｏｆ －６０～１３０ ℃ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ ２× －６ ２ １０ ／ ℃ ｉｎ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ ｃｕｒｒｅｎｔ ｉｓ９４ Ａ ａｎｄ ｃｈｉｐ ａｒｅａ ｉｓ０１２７ ｍｍ ．