一种曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf
文本预览下载声明
维普资讯
第 35卷第 5期 微 电 子 学 Vo1.35,№ 5
2005年 1O月 Oct.2005
ArticleID:1004-3365(2005)05-0531-03
A Curvature-CompensatedCM OSBandgapReference
W ANG Shuai—qi,IA Fu—le。,WANG Zhi—hua。 ZHANG Tian—yi1
,
(1·Dept.ofMicroelectro,tics,Peki77gUniversity.Beijing100871:
2·InstituteofMicroelectronics,1si,g, University,Beijing,100084, P.R. №)
Abstract: A curvature-compensatedbandgapreferenceispresented,whichiscapableofgenera—
tlngasimulatedreferencevoltageof1.438V.Simulationresultshowsthatitconsumes64uA
statccurrentwithasupplyvoltageol5V atroom temperature
. Anultimatesimplebuteffective
technlqueisusedinthisbandgaparchitecturetostraightforwardlyimplementthecurvaturecom—
pensatlon·Jhedeviceachieves13.7ppm/KofsimulatedtemperaturecoefficientinthetemDera—
turerangefrom 0Cto8O。Cand64.7dBofsimulatedpowersupplyrejectionratio
. DeveiODed
for a 10一bit20一MS/stemperature-stableADC,thebandgapisimplementedinadouble_m tal
. . .
double—polysilicon0.6一“m CMOStechnology.
Keywords: CMOS;Bandgapreference;Curvaturecompensation;Low powerconsumption
CLC Number:TN432 Docmu entCode: A
一 种 曲率补偿 CMOS带隙基准源
王帅旗 ,李福乐 ,王志华 ,张天义
(1.北京大学 微电子系,北京 100871;2.清华大学 微电子研究所,北京 100084)
摘 要: 介绍了一种可提供 1.438V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效
的方法,直接
显示全部