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一种曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf

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维普资讯 第 35卷第 5期 微 电 子 学 Vo1.35,№ 5 2005年 1O月 Oct.2005 ArticleID:1004-3365(2005)05-0531-03 A Curvature-CompensatedCM OSBandgapReference W ANG Shuai—qi,IA Fu—le。,WANG Zhi—hua。 ZHANG Tian—yi1 , (1·Dept.ofMicroelectro,tics,Peki77gUniversity.Beijing100871: 2·InstituteofMicroelectronics,1si,g, University,Beijing,100084, P.R. №) Abstract: A curvature-compensatedbandgapreferenceispresented,whichiscapableofgenera— tlngasimulatedreferencevoltageof1.438V.Simulationresultshowsthatitconsumes64uA statccurrentwithasupplyvoltageol5V atroom temperature . Anultimatesimplebuteffective technlqueisusedinthisbandgaparchitecturetostraightforwardlyimplementthecurvaturecom— pensatlon·Jhedeviceachieves13.7ppm/KofsimulatedtemperaturecoefficientinthetemDera— turerangefrom 0Cto8O。Cand64.7dBofsimulatedpowersupplyrejectionratio . DeveiODed for a 10一bit20一MS/stemperature-stableADC,thebandgapisimplementedinadouble_m tal . . . double—polysilicon0.6一“m CMOStechnology. Keywords: CMOS;Bandgapreference;Curvaturecompensation;Low powerconsumption CLC Number:TN432 Docmu entCode: A 一 种 曲率补偿 CMOS带隙基准源 王帅旗 ,李福乐 ,王志华 ,张天义 (1.北京大学 微电子系,北京 100871;2.清华大学 微电子研究所,北京 100084) 摘 要: 介绍了一种可提供 1.438V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效 的方法,直接
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