一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准源.pdf.pdf

设 计 【l】国集成 电路 China Integrated C ircuit ／ 种高电源抑制比◆ 高阶沮度补偿CMOS带隙基准源 李盛林 (广东理工职业学院，广东 广州，510091) 摘要：本文提出一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源。该基准源的核心电路结构由传 统的Brokaw带隙基准源和一个减法器构成。文中采用第二个运放产生一个负温度系数的电流来增强曲 率补偿，同时把该负温度系数电流与核心基准源电路产生的正温度系数电流求和得到一个与温度无关的 电流给运放提供偏置电流。该电路采用0．35urnCMOS工艺实现，仿真结果表明PSRR在 lkHz时达到88dB， 一 40—125℃的范围内温度系数为 1．03ppm／℃。 关键词：CMOS基准源；高电源抑制比；高阶温度补偿 中图分类号：TN710 A HighPSRR ，High-OrderTemperature CompensationCM OSBandgapReference LISheng-lin (GuangDongPolytechnicInstitute，Guangzhou510091，China) Abstract：AhighPSRRbandgapreference(BGR)inCMOStechnology，withhigh—ordertemperaturecompensation ispresented． ThecoreofthisbandgapconsistsoftheconventionalBrokaw bandgapreferenceandasimplevoltage subtractorcircuit．The curvaturecompensation isachievedbyusinga second Opamp thatgeneratesa inversely proportionaltoabsolutetemperature (IPTAT) current，whichissubsequentlyusedtoenhancethecurvature compensation，furthermore theIPTATeurrentaddthePTATcurrentthatgeneratesform bandgapcorecircuitgeta temperatureindependentcurrent，whichisusedasbiascurrentof0pamps．TheresultshowPSRR is88dBatlkHz andthetemperaturecoefficientis1．O3ppm／~Coveratemperaturerangeof-40to125ofr0．35um CMOStechnology． Keywords：CMOSBandgapreference；HJghPSRR；High-orderTemperatureCompensation 34璺笙 塑 圄田 http：Ilwww．cicmagcom I…H l【】国集成电路 裾 ． 1 — ChinaIntegratedCircuit 一 ’。 1 引言 这里： = gm丽QlaJt~／3a JB = gmQ2a ， ，