一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路.pdf

一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计.pdf 学术交流◆×ueshuJiaoliu 一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计王宇星 ·吴金 (1_无锡科技职业学院，江苏无锡 214028；2．东南大学无锡分校，江苏无锡 214135) 摘要：提出了一种低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电路。电路采用电流模BGR结构，采用对VBE的线性补偿方法。利用BISM3模型，电源电压可在5V，在一55～125℃温度范围内，温度系数为6．034ppm／~C。在低电源电压，低频

2017-09-01 约1.03万字 3页立即下载

1.5-V高阶曲率补偿CMOS带隙基准源.docx 1.5-V高阶曲率补偿CMOS带隙基准源摘要此报告中设计了一种新的低电平，低噪声，高阶曲率补偿CMOS带隙基准源。此带隙电路用两个电阻串来减小电源电压。此外，由高阻抗的多晶硅电阻和扩散电阻产生的热敏电阻比来提供高阶补偿。此所设计的带隙基准电压源能在1.5V电源电压下工作（此时0℃时Vth=0.9V），它的温度系数小于15.2ppm/℃，平均电源调整率为5.5mV/V。1.简介基准电压源是许多电子元器件的主要组成，例如电源转换器，数字转化器，射频电路。温度对带隙基准电压源的影响毫无疑问会影响它的性能。因此低电平，低功率，低温飘带隙基准电压源在工业生产中越来越重要。事实上，许多现有的技术都能减小基

2016-08-22 约3.94千字 8页立即下载

一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准源.pdf.pdf 设计【l】国集成电路 China Integrated C ircuit ／种高电源抑制比◆ 高阶沮度补偿CMOS带隙基准源李盛林 (广东理工职业学院，广东广州，510091) 摘要：本文提出一种高电源抑制

2017-09-08 约1.35万字 5页立即下载

一种基于高阶温度曲率补偿的低温漂带隙基准电压源.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114265466 A (43)申请公布日 2022.04.01 (21)申请号 202111514877.9 (22)申请日 2021.12.13 (71)申请人贵州振华风光半导体股份有限公司

2023-06-07 约1.34万字 12页立即下载

一种曲率补偿CMOS带隙基准源的设计.pdf 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶：ｄｏｉ１０３９６９／ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０１０ 一种曲率补偿 带隙基准源的设计ＣＭＯＳ郭美洋，姚建军，孙克（济南晶恒电子有限责任公司济南，）

2017-09-15 约2.02万字 4页立即下载

一种曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf 维普资讯第 35卷第 5期微电子学 Vo1．35，№ 5 2005年 1O月

2017-08-10 约1.46万字 3页立即下载

一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109324655 A (43)申请公布日 2019.02.12 (21)申请号 20181

2023-08-29 约1.11万字 15页立即下载

一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路知识.pdf 一种二阶温度补偿的 CMOS 带隙基准电路 一种二阶温度补偿的 CMOS 带隙基准电路 摘要：提出了一种可用于标准 CMOS 工艺下且具有二阶温度补偿电路 的带隙基准源。所采用的 PTAT2 电流电路是利用了饱和区 MOSFET 的电流特性产生的，具有完全可以与标准 CMOS 工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动

2021-11-29 约4.77千字 4页立即下载

CMOS带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真的开题报告.docx CMOS带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真的开题报告 1.研究背景随着现代芯片技术的日益发展，CMOS工艺已经成为了主流工艺。在CMOS工艺中，由于保证工艺和设计的可重复性，应用广泛的是NMOS和PMOS的互补型结构。其中CMOS带隙基准源是CMOS芯片中的重要部分，它的精度和稳定性对于芯片的整体性能和可靠性具有非常重大的影响。由于温度的影响，在不同温度下CMOS带隙基准源的输出电压会发生变化，导致系统中的参考电压不稳定。因此，对于CMOS带隙基准源的高阶温度补偿非常重要。 2.研究目的本项目的目的是设计和实现一种高阶温度补偿技术，使得CMOS带隙基准源能够在广泛的温度范围内输出稳定的参考

2024-05-07 约小于1千字 2页立即下载

一种带曲率补偿的带隙基准源研究与版图设计.docx PAGE 4 摘要　　带隙基准电压源为电路提供高精度的基准电压，它使系统在外部环境（例如工艺、工作温度、电源电压、负载）变化的情况下性能得以稳定，保证了芯片良好的整体性能，所以基准电压源是各种模拟芯片以及数模混合芯片中非常重要的一个单元。目前，一种高性能的带隙基准电压源是一个研究的热点，现在的高性能带隙基准源研究主要表现在低温度系数、低工作电压（低功耗）、高电源抑制比这三个方面。在现实当中基准源的各项指标很难同时做到极致，往往是各项性能指标相互制约彼此；因此，不同环境下使用的芯片对基准源的各方面性能指标不尽相同，这就需要我们着重研究优化基准源的某一指标同时还要兼顾其他的指标。本文

2023-08-28 约1.74万字 25页立即下载

一种曲率补偿高电源抑制比的带隙基准源设计的开题报告.docx 一种曲率补偿高电源抑制比的带隙基准源设计的开题报告开题报告题目：一种曲率补偿高电源抑制比的带隙基准源设计一、研究背景带隙参考源在模拟集成电路中具有广泛的应用，其精度和稳定性对整个电路的性能有着重要的影响。在高性能集成电路中，带隙参考源不仅要具有高精度和低温漂，还需要具有高电源抑制比和低噪声。目前，大多数带隙参考源采用了串联电阻进行压降，使得参考源能够自适应电源电压变化，从而在一定程度上提高了电源抑制比。但是，由于串联电阻的温度系数过大，在温度变化较大时会导致参考源输出电压的偏移和漂移，影响参考源的稳定性和精度。因此，研究如何提高带隙参考源的电源抑制比，同时克服串联电阻带来的温度漂移问

2023-08-11 约1.01千字 2页立即下载

一种曲率补偿高电源抑制比的带隙基准源设计的开题报告.pdf 一种曲率补偿高电源抑制比的带隙基准源设计的开题报告开题报告题目：一种曲率补偿高电源抑制比的带隙基准源设计一、研究背带隙参考源在模拟集成电路中具有广泛的应用，其精度和稳定性对整个电路的性能有着重要的影响。在高性能集成电路中，带隙参考源不仅要具有高精度和低温漂，还需要具有高电源抑制比和低噪声。目前，大多数带隙参考源采用了串联电阻进行压降，使得参考源能够自适应电源电压变化，从而在一定程度上提高了电源抑制比。但是，由于串联电阻的温度系数过大，在温度变化较大时会导致参考源输出电压的偏移和漂移，影响参考源的稳定性和精度。因此，研究如何提高带隙参考源的电源抑制比，同时克服串联电阻带来

2024-10-03 约1.25千字 2页立即下载

一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf 年月西安电子科技大学学报（自然科学版）２００８８Ａｕ．２００８ｇ第卷第期　　３５４

2017-08-09 约1.7万字 4页立即下载

一种曲率补偿CMOS带隙基准源的设计-微纳电子技术.pdf 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶：ｄｏｉ１０３９６９／ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０１０ 一种曲率补偿 带隙基准源的设计ＣＭＯＳ郭美洋，姚建军，孙克（济南晶恒电子有限责任公司济南，）

2019-07-03 约2.02万字 4页立即下载

高阶曲率补偿电流模式的CMOS带隙基准源-天津大学学报.pdf waswithwithNo．12minimumVr01．41ModeVDec．2008branchPSRRThereferencereferencerealizesnewCharteredkHzaccurateaanatavolt—O．35verificationLICMOSreference．ItCMOSoneandandachieves800ofofElectronicofobtainofofof-60ofcurrentcurvaturecurvatureReferenceCurrenttototofabricatedfunctions300072．Chinacircuitcircuit

2019-10-22 约1.33千字 6页立即下载