一种高精度指数型温度补偿CMOS带隙基准电路.pdf

一种高精度CMOS带隙基准电路的设计.pdf Micr electr nic Device Techn l gy 一种高精度CMOS带隙基准电路的设计 , , , ( , 300071) : A

2015-09-04 约1.28万字 4页立即下载

一种二阶温度补偿的CMOS带隙基准电路知识.pdf 一种二阶温度补偿的 CMOS 带隙基准电路 一种二阶温度补偿的 CMOS 带隙基准电路 摘要：提出了一种可用于标准 CMOS 工艺下且具有二阶温度补偿电路 的带隙基准源。所采用的 PTAT2 电流电路是利用了饱和区 MOSFET 的电流特性产生的，具有完全可以与标准 CMOS 工艺兼容的优点。针对在该工艺和电源电压下传统的启动电路难以启动

2021-11-29 约4.77千字 4页立即下载

基于一階温度补偿技术的CMOS带隙基准电压源电路.docx 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱C HYPERLINK / \t _blank MOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。近年来，集成电路的快速发展，基准电压源在模拟集成电路、数模混合电路以及系统集成

2016-11-24 约3.11千字 6页立即下载

基于一阶温度补偿技术的cmos带隙基准电压源电路.docx 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压的需求，本文提出了一种在0.25mN阱C MOS工艺下，采用一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。电路核心部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT的线性叠加，获得近似零温度系数的输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压的温度系数为10x10-6／℃，输出电压的标准偏差为1mV，室温时电路的功耗为5.283 1mW，属于低温漂、低功耗的基准电压源。近年来，集成电路的快速发展，基准电压源在模拟集成电路、数模混合电路以及系统集成芯片(SOC)中都有着非常广泛的应用，对

2019-11-29 约3.04千字 5页立即下载

基于一阶温度补偿技术的CMOS带隙基准电压源电路.docx 为满足深亚微米级集成电路对低温漂、低功耗电源电压旳需求，本文提出了一种在0.25mN阱CMOS工艺下，采用一阶温度赔偿技术设计旳CMOS带隙基准电压源电路。电路关键部分由双极晶体管构成，实现了VBE和VT旳线性叠加，获得近似零温度系数旳输出电压。T—SPICE软件仿真表明，在3.3V电源电压下，当温度在-20～70℃之间变化时，该电路输出电压旳温度系数为10x10-6／℃，输出电压旳原则偏差为1mV，室温时电路旳功耗为5.2831mW，属于低温漂、低功耗旳基准电压源。近年来，集成电路旳迅速发展，基准电压源在模拟集成电路、数模混合电路以及系统集成芯片(SOC)中均有着非常广泛旳应用，对高新模拟

2024-07-18 约3.03千字 5页立即下载

一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准源.pdf.pdf 设计【l】国集成电路 China Integrated C ircuit ／种高电源抑制比◆ 高阶沮度补偿CMOS带隙基准源李盛林 (广东理工职业学院，广东广州，510091) 摘要：本文提出一种高电源抑制

2017-09-08 约1.35万字 5页立即下载

一种曲率补偿CMOS带隙基准源的设计.pdf 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶：ｄｏｉ１０３９６９／ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０１０一种曲率补偿 带隙基准源的设计ＣＭＯＳ郭美洋，姚建军，孙克（济南晶恒电子有限责任公司济南，）

2017-09-15 约2.02万字 4页立即下载

一种曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf 维普资讯第 35卷第 5期微电子学 Vo1．35，№ 5 2005年 1O月

2017-08-10 约1.46万字 3页立即下载

一种高阶曲率温度补偿带隙基准电路.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116880644 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202311017988.8 (22)申请日 2023.08.14 (71)申请人南京邮电大学地址 210003

2023-10-10 约1.04万字 8页立即下载

CMOS带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真的开题报告.docx CMOS带隙基准源高阶温度补偿的设计与仿真的开题报告 1.研究背景随着现代芯片技术的日益发展，CMOS工艺已经成为了主流工艺。在CMOS工艺中，由于保证工艺和设计的可重复性，应用广泛的是NMOS和PMOS的互补型结构。其中CMOS带隙基准源是CMOS芯片中的重要部分，它的精度和稳定性对于芯片的整体性能和可靠性具有非常重大的影响。由于温度的影响，在不同温度下CMOS带隙基准源的输出电压会发生变化，导致系统中的参考电压不稳定。因此，对于CMOS带隙基准源的高阶温度补偿非常重要。 2.研究目的本项目的目的是设计和实现一种高阶温度补偿技术，使得CMOS带隙基准源能够在广泛的温度范围内输出稳定的参考

2024-05-07 约小于1千字 2页立即下载

一种带曲率补偿的高精度带隙基准源-微电子学.PDF 第卷第期微电子学 , 46 3 Vol.46 No.3 年月 2016 6 Microelectronics Jun.2016 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍

2017-09-02 约3.16万字 5页立即下载

一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源.pdf 年月西安电子科技大学学报（自然科学版）２００８８Ａｕ．２００８ｇ第卷第期　　３５４

2017-08-09 约1.7万字 4页立即下载

一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计.pdf 学术交流◆×ueshuJiaoliu 一种高阶曲率补偿CMOS带隙基准源的设计王宇星 ·吴金 (1_无锡科技职业学院，江苏无锡 214028；2．东南大学无锡分校，江苏无锡 214135) 摘要：提出了一种低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电路。电路采用电流模BGR结构，采用对VBE的线性补偿方法。利用BISM3模型，电源电压可在5V，在一55～125℃温度范围内，温度系数为6．034ppm／~C。在低电源电压，低频

2017-09-01 约1.03万字 3页立即下载

一种曲率补偿CMOS带隙基准源的设计-微纳电子技术.pdf 櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶：ｄｏｉ１０３９６９／ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０１０一种曲率补偿 带隙基准源的设计ＣＭＯＳ郭美洋，姚建军，孙克（济南晶恒电子有限责任公司济南，）

2019-07-03 约2.02万字 4页立即下载

高精度低功耗带隙基准源电路的设计的中期报告.docx 高精度低功耗带隙基准源电路的设计的中期报告 DesignofaHigh-PrecisionLow-PowerBandgapVoltageReferenceCircuit-MidtermReport 设计目标：本次设计旨在设计一个高精度，低功耗的带隙基准源电路，其具有以下设计要求： 1.输出电压为1.2V，误差不超过±0.1% 2.输入电压为2.7V~3.3V 3.输入电流不超过100uA 4.温度系数不超过±50ppm/℃ 进展情况： 1.已经完成电路原理图的设计，包括带隙核心电路、温度补偿电路、输出缓冲电路等模块，并对电路进行了仿真，验证了电路的正确性和稳定性。 2.带隙核心电路采用了经典

2024-02-20 约小于1千字 2页立即下载