集成电路封装与测试 课件 封装 3.1封装工艺流程 .pptx
集成电路封装技术
1
IntegratedCircuitPackagingTechnology
封装工艺流程
封装工艺流程
封装设备日常维护与常见故障
“集成电路开发与测试”1+X标准
1
封装工艺流程
封装流程
前言
未加工的硅片
1
封装工艺流程
前言
加工好的硅片
1
封装工艺流程
前言
芯片图片
1
封装工艺流程
前言
芯片图片
1
封装工艺流程
1
封装工艺流程
集成电路封装通常在封装厂完成，不同的集成电路芯片加工顺序及工艺都有所区别。一般而言，集成电路封装始于集成电路晶圆完成之后，基本工艺流程分为前道工序和后道工序。以塑料封装为例，前道工序是指用塑料封装之前的工艺步骤，后道工序是指在塑料封装之后的工艺步骤。
芯片粘接
贴膜/
晶圆划片
塑封
电镀
切筋成型
激光打标
贴膜/
晶圆减薄
引线键合
前道工序
后道工序
前言
当Wafer来料时,IQC一般先检查外观
1.是否有破损
2.Wafer背面是否变色
3.是否出示书面证明来显示Wafer的相关参数及实验数据
确认后,IQC將允收的Wafer放入DIEBANK(氮气柜)保存
1
封装工艺流程
IQCwaferProbing简介
IQC：来料质量控制
前言
這一站,会先对Wafer做电性測試,測試Fail的芯片机器將自动打点.以便于后续制程DieAttach识别并取gooddie去做封裝.
1.WaferProbing的測試程序一般由客戶提供
2.这一步根据客戶需求有时会由晶圓厂完成.而封裝厂收到的Wafer就是測試打完点的晶圆.
1
封装工艺流程
IQCwaferProbing简介
晶圆测试：WaferProbing或CP(ChipProbing)
前言
前言
1
封装工艺流程
晶圆减薄和划片流程简介
1
封装工艺流程
晶圆贴膜（FilmAttaching）是在晶圆表面贴上保护膜的过程，通常采用蓝膜作为保护膜。一般情况下，晶圆减薄工序和晶圆划片工序之前需要进行贴膜操作。
目前批量生产所用到的硅片尺寸都较大，为了硅片不易受到损害，在晶圆制造过程中其厚度会相应地增加。而随着集成电路技术的发展，集成电路芯片在集成度、速度和可靠性不断提高的同时正向轻薄短小的方向发展。所以在封装之前，要在晶圆背面进行减薄操作。
1
封装工艺流程
晶圆划片也称为晶圆切割，是将经过背面减薄的晶圆上的一颗颗晶粒切割分离，完成切割后，一颗颗晶粒按晶圆原有的形状有序地排列在蓝膜上。此处所说的“晶粒”即晶圆上的一颗颗电路，通常在生产中俗称其为“芯片”。
1
封装工艺流程
芯片粘接(DieBonding或DieMount)也称为装片，是将集成电路芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。如图所示，已切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上。
划片后的晶圆
引线框架局部
芯片
1
封装工艺流程
芯片互连常见的方法有引线键合(WireBonding,WB)、载带自动键合(TapeAutomatedBonding,TAB)、倒装芯片键合(FlipChipBonding,FCB)三种。
引线键合在诸多封装连接方式中占据主导地位，其应用比例几乎达到90%，这是因为它具备工艺实现简单、成本低廉等优点。随着半导体封装技术的发展，引线键合在未来一段时间内仍将是封装连接中的主流方式。
1
封装工艺流程
目前使用的封装材料大部分都是聚合物，即所谓的塑料封装。塑料封装简称塑封，其具有成本低、工艺简单、工作温度低、可靠性高等优点。塑封之后的形体称为塑封体。
如图所示为塑料封装前后的对比图。
1
封装工艺流程
芯片种类繁多，仅通过外观难以区分，容易混料且不便于物流跟踪，因此信息标记是区分和追溯的重要一步。打码是信息标记的常用方式，就是在芯片封装模块的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括产品批号、型号、制造商的信息、器件代码等，这样既不影响电路运行，又可永久标记，清晰辨认。
1
封装工艺流程
1
封装工艺流程
塑封或激光打标之后，需要在引线框架外露的部位覆上一层金属，用于保护外露的芯片引脚，增加其可焊性。塑料封装一般覆上锡层，金属封装大多覆镍层。
锡层一般通过电镀或浸锡的方式实现。
电镀
电镀就是利用金属材料和化学方法，在引线框架表面镀上一层镀层。
浸锡
浸锡是将框架条直接浸入调配好的锡液中，在外露的框架表面行形成锡层。
切筋成型实际是两道工序，但通常同时完成。有时会在一部机器上完成，有时也会分开完成。
切筋的目的是要将整条引线框架上已经封装好的元件独立分开。
成型的目的则是将已经完成切筋的元件外引脚，压成预先设计好的管脚形状，以便于后期在电路板上的使用。
1
封装工艺流程
检查管路（电、气、水、光路），及时维修，定