碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法.docx

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS045—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态栅偏试验方法 Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfieldeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS045—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围…………………………1

2025-04-15 约1.2万字 9页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态反偏（DRB） 试验方法 Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS046—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围

2025-04-13 约1.38万字 9页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiCMOSFET)动态反偏(DRB) 试验方法 Dynamicreversebias(DRB)testmethodforsiliconcarbidemetal-oxide semiconducto

2025-04-14 约6.33千字 19页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温反偏试验方法 Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS043—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………

2025-04-16 约1.4万字 10页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS042—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温栅偏试验方法 Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS042—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………………

2025-04-17 约1.34万字 10页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS042—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)高温栅偏试验方法 Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide semiconductorfiled

2025-04-13 约9.45千字 20页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)高温反偏试验方法 Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide semiconductorfiled

2025-04-15 约9.11千字 20页立即下载

T CASAS 046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态反偏（DRB） 试验方法 Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态反偏（DR

2025-04-20 约1.06万字 7页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》（TCASAS 046-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS046—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信 （SiCMOSFET）动态反偏（DRB）准 试验方法 Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide 标 semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS046—2024 目次前言……………………………

2025-04-15 约1.66万字 11页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法》（TCASAS 045-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS045—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信 （SiCMOSFET）动态栅偏试验方法 准 Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfieldeffecttransistors（SiCMOSFET）标体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS045—2024 目次前言……………………………Ⅲ 台引言………………

2025-04-12 约1.67万字 11页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield effecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS037—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围…………………………1 2规范性引用文

2025-04-14 约1.6万字 13页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfield effecttransisto

2025-04-14 约9.43千字 26页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）功率器件开关动态测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ

2025-04-15 约3.07万字 15页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》（TCASAS 033-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信 （SiCMOSFET）功率器件开关动态准测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor 标 filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言…………………

2025-04-12 约3.53万字 17页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiCMOSFET)功率器件开关动态测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfiledeffec

2025-04-16 约1.51万字 32页立即下载