《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法》.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS037—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield

effecttransistors（SiCMOSFET）

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS037—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

3术语和定义…………………1

4测试原理……………………3

4.1栅极电荷测试基本原理………………3

4.2感性负载（双脉冲）电路测试原理……………………4

4.3阻性负载（单脉冲）电路测试原理……………………5

5测试条件……………………6

6测试流程……………………6

6.1感性负载（双脉冲）测试流程…………6

6.2阻性负载（单脉冲）测试流程…………6

7测试数据处理………………7

7.1感性负载（双脉冲）测试数据处理……………………7

7.2阻性负载（单脉冲）测试数据处理……………………8

8测试报告……………………8

附录A（资料性）SiCMOSFET器件栅极电荷测试记录表………………10

参考文献………………………11

Ⅰ

T/CASAS037—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）栅极电荷测试方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的栅极电荷测试方法，包括

测试原理、测试电路、测试条件以及数据处理方法。

本文件仅适用于增强型N沟道垂直SiCMOSFET器件特性表征及可靠性测试等工作场景，可用于

以下测试目标器件：

a）增强型N沟道垂直SiCMOSFET分立器件晶圆级及封装级产品；

b）含增强型N沟道垂直SiCMOSFET器件的功率模块