《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》.pdf
ICS31.080
CCSL40/49
团体标准
T/CASAS046—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
（SiCMOSFET）动态反偏（DRB）
试验方法
Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide
semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）
2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施
第三代半导体产业技术创新战略联盟发布
中国标准出版社出版
T/CASAS046—2024
目次
前言……………………………Ⅲ
引言……………………………Ⅳ
1范围…………………………1
2规范性引用文件……………1
3术语和定义…………………1
4试验电路……………………2
5试验方法……………………2
5.1试验流程………………2
5.2样品选择………………3
5.3初始值测量……………3
5.4试验条件………………3
5.5应力波形………………4
5.6中间测量或终点测量…………………5
6失效判据……………………5
7试验报告……………………5
附录A（资料性）SiCMOSFET动态反偏试验记录表……………………6
参考文献…………………………7
Ⅰ
T/CASAS046—2024
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
（SiCMOSFET）动态反偏（DRB）
试验方法
1范围
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）的动态反偏（DRB）试验
方法。
本文件适用于单管级和模块级SiCMOSFET用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的
老化。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文
件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文