《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法》.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法

Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide

semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS042—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

3术语和定义…………………1

4试验装置要求………………2

4.1试验环境………………2

4.2试验装置………………3

5试验方法……………………3

5.1目的……………………3

5.2测试……………………4

6失效判定……………………5

7测试报告……………………6

附录A（资料性）SiCMOSFET器件高温栅偏试验记录表………………7

参考文献…………………………8

Ⅰ

T/CASAS042—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法

1范围

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）高温栅偏试验方法，包括试

验装置、失效判定。

本文件适用于SiCMOSFET功率器件、功率模块的可靠性评估。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅

该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T4586—1994半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管

T/CASAS002—2021宽禁带半导体术语

T/CASAS006—2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范

3术语和定义

GB/T4586—1994、T/CASAS002—2021、T/CASAS006—2020界定的以及下列术语和定义适用