《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法》（TCASAS 044-2024）.pdf

ICS30.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS044—2024

台

平

息

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

信

（SiCMOSFET）高压高温高湿反偏

准

试验方法

Highvoltagehightemperaturehighhumidityreversebiastestmethodforsilicon

标

carbidemetal‑oxidesemiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET）

体

团

国

全

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS044—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

台

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

平

3术语和定义…………………1

4试验装置要求………………2

4.1试验环境………………2

息

4.2试验装置………………3

5试验方法……………………3

5.1目的……………………3

5.2测试……………………4

信

6失效判定……………………5

7测试报告……………………6

附录A（资料性）SiCMOSFET器件高压高温高湿反偏试验记录表……7

准

参考文献…………