《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法》（TCASAS 045-2024）.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS045—2024

台

平

息

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

信

（SiCMOSFET）动态栅偏试验方法

准

Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide

semiconductorfieldeffecttransistors（SiCMOSFET）

标

体

团

国

全

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS045—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

台

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

平

3术语和定义…………………1

4试验装置……………………2

5试验方法……………………2

息

5.1总体原则………………2

5.2试验电路………………2

5.3试验装置………………3

5.4试验条件………………3

信

5.5试验设置………………4

5.6试验控制和测量………………………4

6失效判据……………………4

准

7试验报告……………………5

附录A（资料性）SiC