碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.docx

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2025-04-14 约1.6万字 13页立即下载

T CASAS 037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield effecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 1范围本文件描述了碳化硅金属氧化

2025-04-16 约1.43万字 11页立即下载

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2025-04-12 约2.11万字 15页立即下载

CASA 016—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法—征求意见稿.pdf ICSXXX XXX 团体标准 T/CASA016—202X 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 Transientdualtestmethodforthemeasurementofthethermal resistancejunctiontocaseofsiliconcarbidemetal-oxide- semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）草案在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上 202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施第三代半导体产业技术创新战

2025-03-27 约1.45万字 14页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）功率器件开关动态 测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ

2025-04-15 约3.07万字 15页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》（TCASAS 033-2024）.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS033—2024 台平息 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 信 （SiCMOSFET）功率器件开关动态准 测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor 标 filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice 体团国全 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS033—2024 目次前言…………………

2025-04-12 约3.53万字 17页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS033—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiCMOSFET)功率器件开关动态 测试方法 Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfiledeffec

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2025-04-15 约1.2万字 9页立即下载

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2025-04-13 约1.38万字 9页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温反偏试验方法 Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS043—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………

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《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS042—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温栅偏试验方法 Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS042—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………………

2025-04-17 约1.34万字 10页立即下载

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2025-04-14 约7.57千字 18页立即下载

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2025-04-13 约9.45千字 20页立即下载

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