横向扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法.pdf

横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838124 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202011312930.2 (22)申请日 2020.11.20 (30)优先权数据

2023-06-06 约1.33万字 17页立即下载

宽带高效射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的关键技术与发展路径研究.docx 宽带高效射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的关键技术与发展路径研究一、引言 1.1研究背景与意义随着无线通信技术的飞速发展，从2G、3G到如今广泛普及的4G，以及正在积极推进的5G和探索中的6G，人们对于通信速度、信号稳定性和覆盖范围的要求不断攀升。在这一背景下，射频器件作为无线通信系统中的关键组成部分，其性能的优劣直接影响着整个通信系统的质量。从早期的模拟通信到如今高度数字化的通信时代，射频器件经历了从简单到复杂、从低性能到高性能的演变。在现代通信系统中，无论是手机、基站，还是卫星通信、雷达等设备，都离不开射频器件的支持。例如，在5G通信中，为了实现高速率、低延迟的通

2025-04-16 约3.85万字 29页立即下载

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112993034 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 20191

2023-06-06 约1.21万字 12页立即下载

金属氧化物半导体场效应晶体管.ppt 金属－氧化物－半导体场效应晶体管MetalOxideSemiconductorFiledEffectTransistorMOSFET姓名：黄钰凯导师：凌智勇半导体定义：半导体(semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。半导体按化学成分分类P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子

2025-01-25 约1.25千字 19页立即下载

一种氮化镓金属氧化物半导体晶体管及其制备方法.pdf (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112820648 A (43)申请公布日 2021.05.18 (21)申请号 202011638950.9 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人扬州

2023-06-03 约1.46万字 13页立即下载

一种多栅氧化双功函数的超结横向扩散金属氧化物半导体.pdf (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN117423748A (43)申请公布日2024.01.19 (21)申请号202311664516.1 (22)申请日2023.12.06 (71)申请人浙江大学杭州国际科创中心地址

2024-01-15 约6.62千字 6页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS045—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态栅偏试验方法 Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfieldeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS045—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围…………………………1

2025-04-15 约1.2万字 9页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS046—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）动态反偏（DRB）试验方法 Dynamicreversebias（DRB）testmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS046—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围

2025-04-13 约1.38万字 9页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxidesemiconductorfield effecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS037—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围…………………………1 2规范性引用文

2025-04-14 约1.6万字 13页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温反偏试验方法 Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS043—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………

2025-04-16 约1.4万字 10页立即下载

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法》.pdf ICS31.080 CCSL40/49 团体标准 T/CASAS042—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiCMOSFET）高温栅偏试验方法 Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal‑oxide semiconductorfiledeffecttransistors（SiCMOSFET） 2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施第三代半导体产业技术创新战略联盟发布中国标准出版社出版 T/CASAS042—2024 目次前言……………………………Ⅲ 引言……………………………Ⅳ 1范围………………

2025-04-17 约1.34万字 10页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态栅偏试验方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS045—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)动态栅偏试验方法 Dynamicgatestresstestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide semiconductorfieldeffect

2025-04-14 约7.57千字 18页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）栅极电荷测试方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS037—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)栅极电荷测试方法 Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxidesemiconductorfield effecttransisto

2025-04-14 约9.43千字 26页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS042—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)高温栅偏试验方法 Hightemperaturegatebiastestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide semiconductorfiled

2025-04-13 约9.45千字 20页立即下载

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验方法.docx ICS ICS31.080 CCSL40/49 CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟Chinaadvancedsemiconductorindustryinnovationalliance 团体标准 T/CASAS043—2024 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)高温反偏试验方法 Hightemperaturereversebiastestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide semiconductorfiled

2025-04-15 约9.11千字 20页立即下载