一种多栅氧化双功函数的超结横向扩散金属氧化物半导体.pdf
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423748A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311664516.1
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心
地址
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宽带高效射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的关键技术与发展路径研究
一、引言
1.1研究背景与意义
随着无线通信技术的飞速发展，从2G、3G到如今广泛普及的4G，以及正在积极推进的5G和探索中的6G，人们对于通信速度、信号稳定性和覆盖范围的要求不断攀升。在这一背景下，射频器件作为无线通信系统中的关键组成部分，其性能的优劣直接影响着整个通信系统的质量。从早期的模拟通信到如今高度数字化的通信时代，射频器件经历了从简单到复杂、从低性能到高性能的演变。在现代通信系统中，无论是手机、基站，还是卫星通信、雷达等设备，都离不开射频器件的支持。例如，在5G通信中，为了实现高速率、低延迟的通
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(43)申请公布日 2022.07.22
(21)申请号 202210531279.0
(22)申请日 2022.05.16
(71)申请人 富芯微电子有限公司
地址 2300
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(21)申请号CN200810119488.4
(22)申请日2008.09.01
(71)申请人北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
地址100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦513
(72)发明人陈洪宁方绍明刘鹏飞王新强陈勇
(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人李娟
(51)Int.CI
H01L21/336
H01L29/36
H01L29/08
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2025-2030中国扩散金属氧化物半导体行业市场发展趋势与前景展望战略研究报告.docx
2025-2030中国扩散金属氧化物半导体行业市场发展趋势与前景展望战略研究报告
目录
TOC\o1-3\h\z\u一、行业发展现状 3
1、市场规模与增长 3
年市场规模 3
年市场增长趋势 4
主要应用领域分析 5
二、市场竞争格局 6
1、主要企业概况 6
市场份额排名前五企业 6
主要企业产品与技术优势 7
主要企业发展战略 8
三、技术发展趋势 9
1、技术创新方向 9
新型材料研发进展 9
生产工艺改进情况 10
设备更新换代趋势 11
SWOT分析 12
四、市场需求分析 12
1、下游应用领域需求变化 12
新能源领域需求预测 12
消费电子领域需求预测 14
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(22)申请日 2021.05.23
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